[發(fā)明專利]一種控制硅基微結(jié)構(gòu)內(nèi)部空腔形成位置的研究方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610390923.1 | 申請(qǐng)日： | 2016-06-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106006542B | 公開（公告）日： | 2018-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張俐楠;鄭偉;陳超;吳立群;王洪成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B81B7/02 | 分類號(hào)： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州千克知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 控制 微結(jié)構(gòu) 內(nèi)部 空腔 形成 位置 研究 方法 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杭州電子科技大學(xué)，未經(jīng)杭州電子科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610390923.1/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
