[發明專利]一種卟啉納米陣列的電化學原位制備方法有效
| 申請號: | 201610387037.3 | 申請日: | 2016-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN106025299B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發明(設計)人: | 白鋒;付宇航;李奇;牛麗娟;劉肖;王亮;魏文博 | 申請(專利權)人: | 河南大學 |
| 主分類號: | H01M4/90 | 分類號: | H01M4/90;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 時立新;張麗 |
| 地址: | 475001*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 卟啉 納米陣列 制備 電化學原位 導電基 納米材料制備 電化學沉積 電子元器件 化工催化劑 儲能器件 電極材料 定向生長 附著力強 光電催化 結構穩定 聚合材料 原位形成 制備過程 卟啉陣列 電聚合 可控性 | ||
【說明書】:
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