[發(fā)明專(zhuān)利]制造開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610374395.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106887410B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃在晧 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/8238 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/8238;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;許偉群 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 開(kāi)關(guān) 電容 dc 轉(zhuǎn)換器 方法 | ||
一種制造開(kāi)關(guān)電容式轉(zhuǎn)換器的方法包括:提供具有頂表面和底表面的半導(dǎo)體層;在半導(dǎo)體層的頂表面上形成開(kāi)關(guān)元件;在開(kāi)關(guān)元件上形成第一絕緣層和第一互連圖案;在第一絕緣層和第一互連圖案之上形成第二絕緣層;在第二絕緣層之上形成第二互連圖案;在第二絕緣層和第二互連圖案之上形成第三絕緣層;在半導(dǎo)體層的底表面之上形成第三互連圖案和下互連圖案;在下互連圖案之上形成電容器;在半導(dǎo)體層的底表面之上形成第四絕緣層,以暴露電容器的上電極圖案;形成覆蓋電容器的第五絕緣層;以及在第五絕緣層中形成焊盤(pán)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2015年12月16日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?0-2015-0180176的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)的各個(gè)實(shí)施例涉及一種制造轉(zhuǎn)換器的方法,更具體地,涉及制造開(kāi)關(guān)電容式直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的方法。
背景技術(shù)
用在電源中的開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器可以包括開(kāi)關(guān)電感式轉(zhuǎn)換器(SIC)和開(kāi)關(guān)電容式轉(zhuǎn)換器(SCC)。SIC可以將能量?jī)?chǔ)存在它們的電感器中,并且將直流源(DC)從一個(gè)電壓電平轉(zhuǎn)換到另一個(gè)電壓電平。SCC可以將能量?jī)?chǔ)存在它們的電容器中,并且將直流源(DC)從一個(gè)電壓電平變換到另一個(gè)電壓電平。SIC可以呈現(xiàn)出寬的操作范圍和高效率。因此,SIC已經(jīng)廣泛用在大功率器件中。但是,將SIC用在緊湊系統(tǒng)中可能存在一些限制,因?yàn)镾IC的電感器占用了相對(duì)大的面積。相反,SCC可以適用于具有緊湊尺寸的小功率系統(tǒng),因?yàn)榕cSIC的電感器相比,SCC的電容器占用了相對(duì)小的面積。最近,由于其緊湊的尺寸和較低的電磁干擾,SCC已經(jīng)廣泛用在移動(dòng)系統(tǒng)中。通常,當(dāng)開(kāi)關(guān)元件和電容器被集成在單個(gè)芯片中時(shí),由于分配給電容器的有限面積,因此在增加電容器的電容值上可能存在限制。
發(fā)明內(nèi)容
各個(gè)實(shí)施例針對(duì)一種制造開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器的方法。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,提供一種制造開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器的方法。所述方法包括:提供具有頂表面和底表面的半導(dǎo)體層;在半導(dǎo)體層的頂表面上以及在半導(dǎo)體層的塊體區(qū)域中形成多個(gè)開(kāi)關(guān)元件;在半導(dǎo)體層的頂表面之上形成第一絕緣層和第一互連圖案;在第一絕緣層和第一互連圖案之上形成第二絕緣層;在第二絕緣層之上形成連接到第一互連圖案的第二互連圖案;在第二絕緣層和第二互連圖案之上形成第三絕緣層;在半導(dǎo)體層的底表面之上形成第三互連圖案和下互連圖案;在下互連圖案之上形成電容器;在半導(dǎo)體層的底表面之上形成第四絕緣層,以覆蓋第三互連圖案,并暴露電容器的上電極圖案;在第四絕緣層之上形成第五絕緣層,以覆蓋電容器;以及在第五絕緣層中形成多個(gè)焊盤(pán)。第三互連圖案和下互連圖案電連接到第一互連圖案。
附圖說(shuō)明
基于附圖和所附具體描述,本公開(kāi)的各個(gè)實(shí)施例將變得更清楚,在附圖中:
圖1是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器的電路圖;
圖2是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器中采用的開(kāi)關(guān)元件的方法的剖視圖;
圖3是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器中采用的第一互連圖案的方法的剖視圖;
圖4是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器中采用的第二互連圖案的方法的剖視圖;
圖5是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的附接在制造開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器時(shí)所用的處理襯底的方法的剖視圖;
圖6是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成在開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器中采用的第一通孔至第三通孔的方法的剖視圖;
圖7是圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成在開(kāi)關(guān)電容式DC-DC轉(zhuǎn)換器中采用的第一通路至第三通路、第三互連圖案、以及下互連圖案的方法的剖視圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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