[發明專利]一種磁控濺射鍍膜裝置及方法、納米顆粒的制備方法

有效

• 申請號: 201610365340.3
• 申請日: 2016-05-26
• 公開（公告）號: CN105839065B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 向勇;閆宗楷;李光;費益;劉雯;彭志;徐子明
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 成都玖和知識產權代理事務所(普通合伙)51238
• 代理人: 黎祖琴

1.一種磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：包括同軸設置的圓筒狀的磁鋼裝置、圓筒狀的濺射陰極和圓筒狀的靶材，圓筒狀靶材設置在圓筒狀濺射陰極內表面，磁鋼裝置設置在圓筒狀濺射陰極外表面以在靶材內表面形成了一封閉磁場,基底設置在靶材軸心位置處,濺射陰極上加載電壓產生電場，靶材在電場和磁場的作用下濺射產生的納米顆粒沉積在基底上形成薄膜。

2.如權利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述磁鋼裝置包括多個環狀的第一磁體和第二磁體，所述第一磁體和第二磁體同軸相間排列，且靠近軸心側的磁極極性相反。

3.如權利要求2所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：在濺射過程中，所述靶材相對于濺射陰極移動。

4.如權利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：基底設置在靶材軸心位置處。

5.如權利要求4所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：所述基底為線狀，且可定向移動。

6.如權利要求1-5任一項所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：進一步包括監測機構和調速機構，監測機構監測影響濺射速度的參數，根據影響濺射速度的參數調節基底的移動速度。

7.如權利要求1-5任一項所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：進一步包括設置在靶材兩端的上風端和下風端，下風端處設置有分散液裝置，從上風端處進入磁控濺射鍍膜裝置內的氣體帶動靶材濺射的納米顆粒定向移動至分散液裝置中。

8.一種磁控濺射鍍膜方法，其特征在于包括以下步驟：提供一圓筒狀的靶材；在靶材內表面提供一封閉磁場；提供一在靶材徑向方向上具有分量的電場；將基底放置在靶材軸心處進行鍍膜，靶材在磁場和電場的作用下濺射產生的納米顆粒沉積在基底上形成薄膜。

9.如權利要求8所述的磁控濺射鍍膜方法，其特征在于：所述基底為線狀，且可定向移動。

10.一種納米顆粒的制備方法，其特征在于包括步驟：提供一圓筒狀的靶材；在靶材內表面提供一封閉磁場；提供一在靶材徑向方向上具有分量的電場；在圓筒狀靶材一端設置一分散液裝置；基底設置在靶材軸心位置處,靶材在電場和磁場的作用下發生濺射，靶材濺射的納米顆粒部分沉積在基底上形成薄膜，未沉積在基底上的納米顆粒落入分散液裝置中。