[發明專利]曲面顯示裝置及其制備方法

在審

• 申請號: 201610365139.5
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN105785640A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 占紅明;邵喜斌;馬禹;田超
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/139
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種曲面顯示裝置及其 制備方法。

背景技術

扭曲向列相(TN，TwistNematic)液晶顯示模式具有高的透過率、 低的成本，廣泛應用于液晶顯示器產品中。

隨著近年來曲面顯示裝置的興起，傳統的TN模式像素結構設計， 當顯示面板彎曲后上下基板發生錯位時，同一子像素內存在不同顏色 的彩色光阻，從而導致混色的問題。對于這個問題，傳統的解決方法 是對彩膜基板側的黑矩陣進行加寬補償，但是這種方法導致液晶顯示 面板的透過率損失較大。

發明內容

本發明的主要目的在于，提供一種曲面顯示裝置及其制備方法， 能夠有效地解決TN模式下曲面顯示裝置的混色問題。

為達到上述目的，本發明采用如下技術方案：

一方面，本發明實施例提供了一種曲面顯示裝置，包括對盒的第 一襯底基板和第二襯底基板，所述第一襯底基板上設置有彩色光阻層 以及位于所述彩色光阻層之上的像素電極層；所述第二襯底基板上設 置有第二公共電極層。

進一步地，所述第一襯底基板與所述彩色光阻層之間設置有第一 公共電極，所述第一公共電極與所述像素電極層中的像素電極形成存 儲電容；

所述第一公共電極與所述彩色光阻層之間設置有與所述第一公共 電極相對的存儲電容電極塊，所述存儲電容電極塊與所述像素電極層 中的像素電極電連接。

具體地，所述第一公共電極與所述彩色光阻層之間設置有源漏電 極層，所述存儲電容電極塊設置在所述源漏電極層中。

可選地，所述存儲電容電極塊通過過孔與所述像素電極電連接。

優選地，所述存儲電容電極塊在所述第一襯底基板上的正投影完 全覆蓋所述第一公共電極。

或者，所述第一襯底基板與所述彩色光阻層之間設置有第一公共 電極，所述第一公共電極與所述像素電極層中的像素電極形成存儲電 容；

所述第一公共電極與所述彩色光阻層之間設置有存儲電容電極 塊，所述存儲電容電極塊與所述第一公共電極電連接。

優選地，所述第一公共電極與所述彩色光阻層之間設置有源漏電 極層，所述存儲電容電極塊設置在所述源漏電極層中。

可選地，所述存儲電容電極塊通過過孔與所述第一公共電極電連 接。

進一步地，所述彩色光阻層與所述像素電極層之間還設置有有機 膜層。

或者，所述第一襯底基板與所述彩色光阻層之間設置有第一公共 電極，所述第一公共電極與所述像素電極層中的像素電極形成存儲電 容；

所述彩色光阻層中各個彩色光阻之間設置有縫隙，所述縫隙與所 述第一公共電極相對，并且所述縫隙中設置有所述像素電極。

另一方面，本發明實施例還提供了一種曲面顯示裝置的制備方法， 包括如下步驟：

在第一襯底基板上形成彩色光阻層，在所述彩色光阻層之上形成 像素電極層；

在第二襯底基板上形成第二公共電極層；

將形成有彩色光阻層和像素電極層的第一襯底基板與形成有第二 公共電極層的第二襯底基板對盒。

可選地，在形成彩色光阻層之前，所述方法還包括：在第一襯底 基板上形成第一公共電極，在所述第一公共電極之上形成存儲電容電 極塊；在形成像素電極層的過程中，所述方法還包括：使所述像素電 極層中的像素電極與所述存儲電容電極塊電連接。

優選地，所述的在所述第一公共電極之上形成存儲電容電極塊具 體包括：

在所述第一公共電極之上形成包含有存儲電容電極塊的源漏電極 層。

或者，在形成彩色光阻層之前，所述方法還包括：在第一襯底基 板上形成第一公共電極，在所述第一公共電極之上形成與所述第一公 共電極相對的存儲電容電極塊、并使所述第一公共電極與所述存儲電 容電極塊電連接。

優選地，所述的在所述第一公共電極之上形成與所述第一公共電 極相對的存儲電容電極塊具體包括：

在所述第一公共電極之上形成包含有存儲電容電極塊的源漏電極 層、并使所述存儲電容電極塊與所述第一公共電極相對。

進一步地，在形成彩色光阻層之后、形成像素電極層之前，所述 方法還包括：

在所述彩色光阻層之上形成有機膜層。