[發明專利]制造半導體襯底的方法以及用于半導體生長的襯底有效
| 申請號： | 201610364734.7 | 申請日： | 2016-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN106206863B | 公開（公告）日： | 2018-12-14 |
| 發明（設計）人： | 樸永煥;姜三默;金峻淵;金美賢;金柱成;卓泳助 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 張帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 半導體 襯底 方法 以及 用于 生長 | ||
【說明書】：
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