[發明專利]一種刻蝕機的晶圓傳送方法和裝置

在審

• 申請號: 201610363729.4
• 申請日: 2016-05-26
• 公開（公告）號: CN107437521A
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 隋琳
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01J37/32
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司11319
• 代理人: 趙娟

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種刻蝕機的晶圓傳送方法和一種刻蝕機的晶圓傳送裝置。

背景技術

刻蝕(Etch)是芯片制造中形成圖形圖案的關鍵工藝，通常使用含鹵素元素(氟、氯、溴)的氣體或化合物在射頻電壓的作用下生產等離子體，由等離子體對晶圓表面進行刻蝕以形成需要的圖案。

刻蝕結束后，晶圓表面通常會殘留有鹵素元素的氣體或化合物，這些殘留的鹵素元素的氣體或化合物會跟大氣中的水汽發生冷凝反應，形成冷凝顆粒(Condensation particle)。

冷凝顆粒一般呈水滴狀，不規則的分布在晶圓表面，不僅會腐蝕刻蝕設備的零部件，縮短刻蝕設備零部件的使用壽命，還會使得后續生產工藝失效、污染后續工藝的工藝設備，因此，在實際生產中需要消除冷凝顆粒的不利影響。

現有技術中，通常通過以下兩種方式消除冷凝顆粒的不利影響：

一種方式是利用冷凝顆粒溶于水的特性，在刻蝕結束后采用濕法清洗除去絕大部分的冷凝顆粒，進而達到消除冷凝顆粒對后續工藝及后續工藝設備的不利影響，然而，由于該做法是在刻蝕結束后才得以清除冷凝顆粒，因而無法避免冷凝顆粒對刻蝕設備大氣部分零部件的腐蝕。

另一種方式是在刻蝕設備上安裝高溫去光阻腔室，在刻蝕設備對晶圓刻蝕完成后，在真空下對晶圓持續進行高溫等離子體處理，使大部分鹵素元素的氣體或化合物發生反應或高溫揮發并被泵抽出，從而減少冷凝顆粒的生產，然而，由于晶圓刻蝕完成后仍需進行一段時間的高溫等離子體處理，增加了生產所需時間，導致生產效率低下的問題。

發明內容

鑒于上述問題，提出了本發明實施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種刻蝕機的晶圓傳送方法和一種刻蝕機的晶圓傳送裝置。

為了解決上述問題，本發明實施例公開了一種刻蝕機的晶圓傳送方法，其中，所述刻蝕機包括設備前端模組、真空傳送腔、至少一個工藝腔室以及位于所述設備前端模組和真空傳送腔之間的加鎖容器，其特征在于，所述方法包括：

當晶圓完成工藝腔室的工藝后，將所述晶圓從所述工藝腔室經由所述真空傳送腔傳送至加鎖容器；

在預設的停留時間內對所述加鎖容器持續抽氣；

對所述加鎖容器充氣，直至所述加鎖容器中的氣壓值回升至大氣壓值；

將所述晶圓從所述加鎖容器傳送至所述設備前端模組。

優選的，還包括：

在將晶圓從所述加鎖容器傳送至所述設備前端模組后，將所述加鎖容器抽氣至預設的最小大氣壓強值。

優選的，所述在預設的停留時間內對所述加鎖容器持續抽氣的步驟包括：

維持所述加鎖容器的壓強，在預設的停留時間內對所述加鎖容器持續抽氣。

優選的，所述預設的停留時間通過以下方法生成：

獲取第一時間、第二時間、第三時間以及第四時間；所述第一時間為單個所述工藝腔室的工藝時間；所述第二時間為所述晶圓從所述工藝腔室經由所述真空傳送腔和所述加鎖容器，傳送至所述設備前端模組的傳輸時間；所述第三時間為：對所述加鎖容器抽氣至所述最小大氣壓強值的時間；所述第四時間為打開所述加鎖容器與所述真空傳送腔之間的真空端門所需的時間；

獲取工藝腔室的數量；

將所述第一時間減去所述第二時間、第三時間以及第四時間得到的值， 除以所述工藝腔室的數量，得到停留時間。

優選的，所述預設的停留時間為用戶輸入的時間。

同時，本發明還公開了一種刻蝕機的晶圓傳送裝置，其中，所述刻蝕機包括設備前端模組、真空傳送腔、至少一個工藝腔室以及位于所述設備前端模組和真空傳送腔之間的加鎖容器，其特征在于，所述裝置包括：

第一傳送模塊，用于當晶圓完成工藝腔室的工藝后，將所述晶圓從所述工藝腔室經由所述真空傳送腔傳送至加鎖容器；

第一抽氣模塊，用于在預設的停留時間內對所述加鎖容器持續抽氣；

充氣模塊，用于對所述加鎖容器充氣，直至所述加鎖容器中的氣壓值回升至大氣壓值；

第二傳送模塊，用于將所述晶圓從所述加鎖容器傳送至所述設備前端模組。

優選的，還包括：

第二抽氣模塊，用于在將晶圓從所述加鎖容器傳送至所述設備前端模組后，將所述加鎖容器抽氣至預設的最小大氣壓強值。

優選的，所述抽氣模塊進一步包括：

穩壓抽氣子模塊，用于維持所述加鎖容器的壓強，在預設的停留時間內對所述加鎖容器持續抽氣。

優選的，所述預設的停留時間通過以下裝置生成：