[發明專利]一種鐵磁性納米線陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201610356733.8 | 申請日： | 2016-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN105947971B | 公開（公告）日： | 2017-11-10 |
| 發明（設計）人： | 楊誠;徐超 | 申請（專利權）人： | 清華大學深圳研究生院 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B22F9/24 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知識產權代理有限公司44311 | 代理人： | 王賽 |
| 地址： | 518055 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鐵磁性 納米 陣列 制備 方法 | ||
1.一種鐵磁性納米線陣列的制備方法，其包含以下步驟：
提供一基底，在所述基底上沉積形成活化種子層；
配置用于沉積鐵磁性納米線陣列的反應前驅體溶液，所述反應前驅體溶液包括濃度大于0且小于等于1mol/L的鹽溶液以及濃度大于0且小于等于1mol/L的還原劑溶液，其中所述鹽溶液包括鐵磁性金屬鹽和絡合劑；
提供一反應容器，將經活化處理的基底置于所述反應容器中；
施加平行磁場，其中所述平行磁場的磁場方向與所述基底所在的平面相垂直；
將所述反應前驅體溶液加入到所述反應容器中，并加熱發生反應，所述活化種子層捕獲并催化還原所述鐵磁性金屬鹽，以于所述基底上制備形成鐵磁性納米線陣列。
2.如權利要求1所述的鐵磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述基底材料為金屬薄膜、碳材料膜、金屬氧化物薄膜、高分子薄膜、陶瓷薄膜中的一種或多種。
3.如權利要求1所述的鐵磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于：在所述基底上沉積形成活化種子層的方法包括，將所述基底置于活化前驅體溶液中加熱，在所述基底上沉積形成活化種子層；其中，所述活化前驅體溶液包括濃度大于0且小于等于1mol/L的金屬鹽及/或金屬酸，濃度大于0且小于等于1mol/L的還原劑，濃度大于等于0且小于等于1mol/L的絡合劑，以及濃度大于等于0且小于等于1mol/L的pH調節劑，所述pH調節劑用于將所述活化前驅體溶液的pH值調節至7-13。
4.如權利要求3所述的鐵磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述金屬鹽及/或金屬酸包括PdCl2、H2AuCl6·H2O、H2PtCl6·H2O、IrCl2、Ir(NO3)3、RhCl3·H2O、Rh(NO3)3·H2O、Ru N4O10、RuCl3中的一種或者多種，所述活化前驅體溶液中的絡合劑包括Na3C6H5O7、H3C6H5O7、H2C2O4、Na2C2O4、C10H14N2Na2O8中的一種或多種,所述pH調節劑包括KOH、NaOH、NH3.H2O、 HCl中的一種或多種，所述活化前驅體溶液中的還原劑為N2H4·H2O。
5.如權利要求4所述的鐵磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述活化種子層包括多個金屬納米顆粒，所述多個金屬納米顆粒為鈀納米顆粒、金納米顆粒、鉑納米顆粒、銥納米顆粒、銠納米顆粒、釕納米顆粒中的一種或者多種。
6.如權利要求4所述的鐵磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述活化前驅體溶液的加熱溫度為50-90℃，加熱時間為30-200分鐘。
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