[發明專利]一種無鋁型II類超晶格長波雙勢壘紅外探測器有效
| 申請號： | 201610351898.6 | 申請日： | 2016-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN105789364B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 周易;陳建新;王芳芳;徐志成 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/101 | 分類號： | H01L31/101;H01L31/11;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超晶格 長波 雙勢壘 紅外探測器 長波紅外探測器 電子勢壘層 空穴勢壘層 暗電流 探測率 吸收區 下電極 信噪比 電極 襯底 引入 | ||
1.一種無鋁型II類超晶格長波雙勢壘紅外探測器，其結構為:自GaSb襯底(6)向上依次是超晶格長波N型接觸層(1)、超晶格空穴勢壘層(2)、超晶格長波吸收區(3)、超晶格中波電子勢壘層(4)和超晶格長波P型接觸層(5)，上電極TiPtAu(7)位于超晶格長波P型接觸層(5)上，下電極TiPtAu(8)位于GaSb襯底(6)上，其特征在于：
所述的超晶格長波N型接觸層(1)的結構為20-80周期長波超晶格，每周期由4-6nmInAs和2-4nm GaSb構成，N型摻雜濃度為1016-1017cm-3；
所述的超晶格空穴勢壘層(2)的結構為20-80周期中波超晶格，每周期由2-3nm InAs和1-2nm GaSb構成，N型摻雜濃度為1015-2×1016cm-3；
所述的超晶格長波吸收區(3)的結構為100-800周期長波超晶格，每周期由4-6nm InAs和2-4nm GaSb構成，P型摻雜濃度為1015-1016cm-3；
所述的超晶格中波電子勢壘層(4)的結構為20-80周期中波超晶格，每周期由2-3nmInAs和2-4nm GaSb構成，P型摻雜濃度為1015-1016cm-3；
所述的超晶格長波P型接觸層(5)的結構為20-80周期長波超晶格，每周期由4-6nmInAs和2-4nm GaSb構成，P型摻雜濃度為1016-1017cm-3。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
