[發明專利]一種采樣抗靜電增強保護的智能功率模塊在審
| 申請號: | 201610347453.0 | 申請日: | 2016-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN105790561A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發明(設計)人: | 尹曦曦 | 申請(專利權)人: | 深圳市鑫宇鵬電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/32 | 分類號: | H02M1/32 |
| 代理公司: | 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 朱業剛;譚果林 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采樣 抗靜電 增強 保護 智能 功率 模塊 | ||
1.一種采樣抗靜電增強保護的智能功率模塊,其特征在于,包括:
HVIC管(1101);
分別與HVIC管(1101)連接的IGBT管(1121)、IGBT管(1122)、IGBT管(1123)、IGBT管(1124)、IGBT管(1125)、IGBT管(1126)和IGBT管(1127);
與各IGBT管一一對應的FRD管(1111)、FRD管(1112)、FRD管(1113)、FRD管(1114)、FRD管(1115)、FRD管(1116)和FRD管(1117);
以及采樣電路(1105)和FRD管(1131);
其中,IGBT管(1124)的射極與FRD管(1114)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第一輸入輸出端;IGBT管(1125)的射極與FRD管(1115)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第二輸入輸出端;IGBT管(1126)的射極與FRD管(1116)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第三輸入輸出端;IGBT管(1127)的射極與FRD管(1117)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第四輸入輸出端;
IGBT管(1127)的集電極與FRD管(1117)的陰極、FRD管(1131)的陽極相連,并作為智能功率模塊(1100)的PFC端;
采樣電路(1105)的第五輸入輸出端作為智能功率模塊(1100)的N1端;采樣電路(1105)的第六輸入輸出端作為智能功率模塊(1100)的N2端;
并且,采樣電路內部電路設置模擬開關(2007)、模擬開關(2008)、模擬開關(2009)和模擬開關(2006);采樣電路(1105)的第一輸入輸出端與模擬開關(2007)的固定端相連;采樣電路(1105)的第二輸入輸出端與模擬開關(2008)的固定端相連;采樣電路(1105)的第三輸入輸出端與模擬開關(2009)的固定端相連;采樣電路(1105)的第四輸入輸出端與模擬開關(2006)的固定端相連。
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊,其特征在于,采樣電路(1105)內部電路還設置有電阻(2005)、電阻(2004)、電阻(2001)、電阻(2002)和電阻(2003);模擬開關(2006)的0選擇端、模擬開關(2007)的0選擇端、模擬開關(2008)的0選擇端、模擬開關(2009)的0選擇端與電阻(2005)的一端相連;電阻(2005)的另一端與N1端和N2端相連;模擬開關(2006)的1選擇端與電阻(2004)的一端、電阻(2001)的一端、電阻(2002)的一端、電阻(2003)的一端相連并接N2端;模擬開關(2007)的1選擇端與電阻(2001)的另一端相連;模擬開關(2008)的1選擇端與電阻(2002)的另一端相連;模擬開關(2009)的1選擇端與電阻(2003)的另一端相連;電阻(2004)的另一端接N1端。
3.根據權利要求2所述的智能功率模塊,其特征在于,采樣電路(1105)內部電路還設置有電阻(2016)、電阻(2012)、電壓比較器(2015)、電壓源(2014)、非門(2010)和非門(2017),其中,VCC接電阻(2016)的一端;電阻(2016)的另一端接電阻(2012)的一端和電壓比較器(2015)的正輸入端;電阻(2012)的另一端接COM;電壓比較器(2015)的負輸入端接電壓源(2014)的正端;電壓源(2014)的負端接COM;電壓比較器(2015)的輸出端接非門(2010)的輸入端;非門(2010)的輸出端接非門(2017)的輸入端;非門(2017)的輸出端接模擬開關(2006)的控制端、模擬開關(2007)的的控制端、模擬開關(2008)的控制端、模擬開關(2009)的控制端。
4.根據權利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,其電流為15A,功率大于5W,電阻(2001)、電阻(2002)、電阻(2003)設計為阻值10mΩ的毫歐電阻,各電阻類型為金屬電阻或薄膜電阻。
5.根據權利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,其電流為15A,功率為15W,電阻(2004)設計為阻值8mΩ的毫歐電阻,其電阻類型為金屬電阻或薄膜電阻。
6.根據權利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,電阻(2005)設計為0805封裝的阻值1kΩ以上的薄膜電阻;電阻(2016)和電阻(2012)選擇阻值為30kΩ的POLY電阻;電壓源(2014)的電壓值設計為7.5V。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





