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[發明專利]一種采樣抗靜電增強保護的智能功率模塊在審

專利信息
申請號: 201610347453.0 申請日: 2016-05-24
公開(公告)號: CN105790561A 公開(公告)日: 2016-07-20
發明(設計)人: 尹曦曦 申請(專利權)人: 深圳市鑫宇鵬電子科技有限公司
主分類號: H02M1/32 分類號: H02M1/32
代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 代理人: 朱業剛;譚果林
地址: 518000 廣東省深圳市*** 國省代碼: 廣東;44
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 一種 采樣 抗靜電 增強 保護 智能 功率 模塊
【權利要求書】:

1.一種采樣抗靜電增強保護的智能功率模塊,其特征在于,包括:

HVIC管(1101);

分別與HVIC管(1101)連接的IGBT管(1121)、IGBT管(1122)、IGBT管(1123)、IGBT管(1124)、IGBT管(1125)、IGBT管(1126)和IGBT管(1127);

與各IGBT管一一對應的FRD管(1111)、FRD管(1112)、FRD管(1113)、FRD管(1114)、FRD管(1115)、FRD管(1116)和FRD管(1117);

以及采樣電路(1105)和FRD管(1131);

其中,IGBT管(1124)的射極與FRD管(1114)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第一輸入輸出端;IGBT管(1125)的射極與FRD管(1115)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第二輸入輸出端;IGBT管(1126)的射極與FRD管(1116)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第三輸入輸出端;IGBT管(1127)的射極與FRD管(1117)的陽極相連,并連接采樣電路(1105)的第四輸入輸出端;

IGBT管(1127)的集電極與FRD管(1117)的陰極、FRD管(1131)的陽極相連,并作為智能功率模塊(1100)的PFC端;

采樣電路(1105)的第五輸入輸出端作為智能功率模塊(1100)的N1端;采樣電路(1105)的第六輸入輸出端作為智能功率模塊(1100)的N2端;

并且,采樣電路內部電路設置模擬開關(2007)、模擬開關(2008)、模擬開關(2009)和模擬開關(2006);采樣電路(1105)的第一輸入輸出端與模擬開關(2007)的固定端相連;采樣電路(1105)的第二輸入輸出端與模擬開關(2008)的固定端相連;采樣電路(1105)的第三輸入輸出端與模擬開關(2009)的固定端相連;采樣電路(1105)的第四輸入輸出端與模擬開關(2006)的固定端相連。

2.根據權利要求1所述的智能功率模塊,其特征在于,采樣電路(1105)內部電路還設置有電阻(2005)、電阻(2004)、電阻(2001)、電阻(2002)和電阻(2003);模擬開關(2006)的0選擇端、模擬開關(2007)的0選擇端、模擬開關(2008)的0選擇端、模擬開關(2009)的0選擇端與電阻(2005)的一端相連;電阻(2005)的另一端與N1端和N2端相連;模擬開關(2006)的1選擇端與電阻(2004)的一端、電阻(2001)的一端、電阻(2002)的一端、電阻(2003)的一端相連并接N2端;模擬開關(2007)的1選擇端與電阻(2001)的另一端相連;模擬開關(2008)的1選擇端與電阻(2002)的另一端相連;模擬開關(2009)的1選擇端與電阻(2003)的另一端相連;電阻(2004)的另一端接N1端。

3.根據權利要求2所述的智能功率模塊,其特征在于,采樣電路(1105)內部電路還設置有電阻(2016)、電阻(2012)、電壓比較器(2015)、電壓源(2014)、非門(2010)和非門(2017),其中,VCC接電阻(2016)的一端;電阻(2016)的另一端接電阻(2012)的一端和電壓比較器(2015)的正輸入端;電阻(2012)的另一端接COM;電壓比較器(2015)的負輸入端接電壓源(2014)的正端;電壓源(2014)的負端接COM;電壓比較器(2015)的輸出端接非門(2010)的輸入端;非門(2010)的輸出端接非門(2017)的輸入端;非門(2017)的輸出端接模擬開關(2006)的控制端、模擬開關(2007)的的控制端、模擬開關(2008)的控制端、模擬開關(2009)的控制端。

4.根據權利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,其電流為15A,功率大于5W,電阻(2001)、電阻(2002)、電阻(2003)設計為阻值10mΩ的毫歐電阻,各電阻類型為金屬電阻或薄膜電阻。

5.根據權利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,其電流為15A,功率為15W,電阻(2004)設計為阻值8mΩ的毫歐電阻,其電阻類型為金屬電阻或薄膜電阻。

6.根據權利要求3所述的智能功率模塊,其特征在于,電阻(2005)設計為0805封裝的阻值1kΩ以上的薄膜電阻;電阻(2016)和電阻(2012)選擇阻值為30kΩ的POLY電阻;電壓源(2014)的電壓值設計為7.5V。

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