[發明專利]集成電路的基準電壓修調電路及系統有效
| 申請號: | 201610344290.0 | 申請日: | 2016-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN105912059B | 公開(公告)日: | 2017-08-15 |
| 發明(設計)人: | 孫天奇 | 申請(專利權)人: | 深圳創維-RGB電子有限公司;深圳創維半導體設計中心有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 基準 電壓 電路 系統 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路測試技術領域,尤其涉及一種集成電路的基準電壓修調電路及系統。
背景技術
在集成電路中,芯片內部都產生恒定的基準電壓,為內部的數字電路、模擬電路提供精確穩定的參考電壓值,即電壓基準是模擬電路和數字電路中不可或缺的一部分。在生產過程中,通常由于基準電壓的失調、溫漂、工藝偏差等不確定性因素,芯片的基準電壓的精度往往較預設值有偏差。基準電壓的失調、溫漂等因素往往會導致整體電路功能失敗,基準電壓的精度直接影響集成電路數據采集的準確性,影響LDO(low dropout regulator,低壓差線性穩壓器)、DC-DC(Direct Current-Direct Current,直流-直流)轉換器的輸出電壓,對產品的良率、利潤率也會造成影響,因此,為使芯片內部的基準電壓精度足夠,通常都需要通過電壓修調電路對基準電壓進行修調,電壓修調技術是目前修調基準電壓的普遍方案。
在集成電路中,現有的電壓修調技術包括激光修復(即Laser Reair)、電流熔絲(即Current Fuse)、OTP(One Time Programmable,一次性可編程)修復以及NVM(non-volatile memory,非易失性存儲器)修復。其中激光修復僅能在芯片封裝前進行,應用范圍受限,且制程的良率較差,現已逐漸淘汰;OTP修復和NVM修復兩種多用于數字電路,且一般針對特定工藝,實用范圍窄;電流熔絲是集成電路中采用較多的一種方案。目前電流熔絲方式的電壓修調方案中主要存在的缺點是目前的電壓修調方案通常只有一級電壓校準,導致修調電壓范圍過大時調節精度不足,精度足夠時修調范圍又偏小。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種集成電路的基準電壓修調電路,旨在提高集成電路基準電壓修調精度。
為了達到上述目的,本發明提供的集成電路的基準電壓修調電路包括LDO模塊、修調模塊和修調控制模塊;所述修調模塊包括一級校準修調模塊和二級校準修調模塊;
所述LDO模塊的正相輸入端接入外部的帶隙基準電壓,所述帶隙基準電壓通過所述修調模塊后反饋至所述LDO模塊的反相輸入端,所述LDO模塊的輸出端輸出基準電壓;所述修調控制模塊用于連接片外的程序控制模塊,所述修調控制模塊根據程序控制模塊提供的校準信號生成n位修調控制信號,其中n≥1,n位修調控制信號組合構成2n組修調控制信號,并將所述修調控制信號輸出至所述修調模塊;所述修調模塊中,所述一級校準修調模塊根據所述修調控制信號進行一級校準,所述二級校準修調模塊根據所述修調控制信號基于所述一級校準進行二級校準,將所述基準電壓修調至預設的基準參考電壓。
優選地,所述LDO模塊包括運算放大器和第一穩壓電阻和第二穩壓電阻;所述運算放大器的正相輸入端接入外部的帶隙基準電壓,所述運算放大器的輸出端依次經由所述第一穩壓電阻、修調模塊、第二穩壓電阻接地,所述第二穩壓電阻與所述修調模塊的公共節點連接至所述運算放大器的反相輸入端。
優選地,所述一級校準修調模塊包括m個一級校準電阻和(m+1)行n列的一級校準開關管陣列,其中m≥1;
m個所述一級校準電阻串聯成一串聯電阻串,所述串聯電阻串的一端連接所述LDO模塊的輸出端,所述串聯電阻串的另一端連接所述LDO模塊的反相輸入端;每一行一級校準開關管串聯成一組串聯開關,每一所述一級校準電阻的兩端分別與一組串聯開關連接,一級校準開關管陣列的控制端接入所述修調控制模塊輸出的修調控制信號,每組修調控制信號對應控制一組串聯開關短路。
優選地,所述一級校準開關管為一級校準NMOS管;第一列一級校準NMOS管中,第m行一級校準NMOS管的源極和第(m+1)行一級校準NMOS管的源極分別連接第m個一級校準電阻的兩端;每一行一級校準NMOS管中,第n列一級校準NMOS管的漏極與第(n+1)列一級校準NMOS管的源極連接;最后一列一級校準NMOS管中,各行一級校準NMOS管的漏極相互連接;所述一級校準NMOS管的柵極與所述修調控制模塊連接,每一列所述一級校準NMOS管的柵極對應接入所述修調控制模塊輸出的一位修調控制信號,以控制所述一級校準NMOS管的通斷,且各一級校準NMOS管在其柵極接入的修調控制信號為低電平信號時短路。
優選地,所述二級校準修調模塊作為所述一級校準修調模塊中與所述LDO模塊的反相輸入端連接的一級校準電阻;
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