[發(fā)明專利]顯示器件及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610342241.3 | 申請日: | 2016-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN105785681B | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 白雅杰;許卓;金在光;金熙哲;王武;王小元 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示器件,其特征在于,包括:
多列數(shù)據(jù)線、多行柵線、多個像素電極塊、多個像素存儲電容、多個像素開關和多個電荷共享結構;每一個像素存儲電容包括一個像素電極塊;每一個像素開關連接一條數(shù)據(jù)線、一條柵線和一個像素電極塊;
各個電荷共享結構與各個像素存儲電容一一對應,每一個電荷共享結構包括一個補充電容和與該補充電容相連的共享開關;其中共享開關還連接對應的像素存儲電容中的像素電極塊以及掃描順序在該像素電極塊所連接的柵線之前的柵線,適于在所連接的柵線被施加掃描脈沖時導通,將補充電容與對應的像素電極塊連接。
2.如權利要求1所述的顯示器件,其特征在于,所述共享開關在形成所述像素開關的工藝中形成。
3.如權利要求1所述的顯示器件,其特征在于,所述補充電容的至少一個極板在形成所述顯示器件中的其他導電結構的工藝中形成。
4.如權利要求3所述的顯示器件,其特征在于,所述補充電容的其中一個極板在形成共享開關連接該極板的部分的工藝中形成。
5.如權利要求3或4所述的顯示器件,其特征在于,所述顯示器件為陣列基板;所述陣列基板還包括公共電極圖形;所述補充電容的一個極板在形成所述公共電極圖形的工藝中形成。
6.如權利要求5所述的顯示器件,其特征在于,所述陣列基板還包括在形成柵線的工藝中形成的多條公共電極走線;各條公共電極走線與所述公共電極圖形相連;
所述補充電容的一個極板在形成所述柵線和所述公共電極走線的工藝中形成,且與所述公共電極走線相連。
7.如權利要求3或4或6任一項所述的顯示器件,其特征在于,所述補充電容包括第一極板和第二極板,其中所述第二極板與像素電極塊相連;所述共享開關的一端連接所述第一極板,另一端連接所述第二極板;適于在所連接的柵線被施加掃描脈沖時導通,將第一極板和第二極板連接。
8.如權利要求7所述的顯示器件,其特征在于,每一個像素存儲電容的容值為對應的補充電容的容值的3-5.5倍。
9.如權利要求1所述的顯示器件,其特征在于,所述共享開關包括薄膜晶體管;所述薄膜晶體管的柵極連接對應的柵線,源極和漏極中的一個連接對應的補充電容、另一個連接對應的像素電極塊。
10.一種顯示器件的制作方法,其特征在于,包括:形成多行數(shù)據(jù)線、多行柵線、多個像素電極塊、多個像素存儲電容、多個像素開關和多個電荷共享結構;每一個像素存儲電容包括一個像素電極塊;每一個像素開關連接一條數(shù)據(jù)線、一條柵線和一個像素電極塊;
各個電荷共享結構與各個像素存儲電容一一對應,每一個電荷共享結構包括一個補充電容和與該補充電容相連的共享開關;其中共享開關還連接對應的像素存儲電容中的像素電極塊以及掃描順序在該像素電極塊所連接的柵線之前的柵線,適于在所連接的柵線被施加掃描脈沖時導通,將補充電容與對應的像素電極塊連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司,未經(jīng)京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610342241.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:雙面顯示器、顯示模組及其TFT陣列基板
- 下一篇:液晶涂布裝置





