[發明專利]一種噴淋頭及其等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201610340838.4
• 申請日: 2016-05-19
• 公開（公告）號: CN105779972B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 劉憶軍;戚艷麗;柴智;王卓
• 申請（專利權）人: 沈陽拓荊科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229
• 代理人: 甄玉荃

1.一種噴淋頭，用于半導體等離子體處理裝置，所述半導體等離子體處理裝置包括反應腔及設置于所述反應腔中的載物臺，所述載物臺用以承載襯底，所述噴淋頭相對于所述載物臺設置于所述反應腔中，用以將反應氣體沿著所述襯底的方向噴淋，其特征在于，所述噴淋頭包括噴淋頭通孔以將所述反應氣體通入所述反應腔，所述噴淋頭通孔包括第一通孔與第二通孔，所述第一通孔具有第一流阻，所述第二通孔具有第二流阻，所述第一流阻不等于所述第二流阻，所述第一通孔在噴淋頭中所形成的區域位置及區域形狀不同于所述第二通孔在噴淋頭中所形成的區域位置及區域形狀以均勻所述反應氣體在所述襯底上的沉積速率，所述區域位置及區域形狀是指所述噴淋頭具有圓形的出氣面，所述出氣面包括第一區域和第二區域，所述第一區域為內嵌三角形陣列，所述第二區域為內嵌三角形外的弧陣列，所述第一通孔在所述出氣面上形成若干第一出氣口，所述第一出氣口形成于所述第一區域，所述第二通孔在所述出氣面上形成若干第二出氣口，所述第二出氣口形成于所述第二區域。

2.根據權利要求1所述的噴淋頭，其特征在于：所述噴淋頭通孔包括進氣端及與所述進氣端相連通的出氣口，所述進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有進氣橫截面積，所述出氣口沿著垂直氣體流向的方向具有出氣橫截面積，所述進氣橫截面積大于所述出氣橫截面積，所述進氣橫截面積為0.00785-7.85平方毫米，所述出氣橫截面積為0.00785-0.785平方毫米，所述進氣端長度與出氣口長度之和為5-20mm，進氣端長度范圍為2-20mm，出氣口長度范圍為2-20mm。

3.根據權利要求2所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一通孔具有第一進氣端和第一出氣口，所述第一進氣端和所述第一出氣口相連通，所述第一進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有第一進氣橫截面積，所述第一進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有第一出氣橫截面積，所述第一進氣橫截面積大于所述第一出氣橫截面積。

4.根據權利要求3所述的噴淋頭，其特征在于：所述第二通孔具有第二進氣端和第二出氣口，所述第二進氣端和所述第二出氣口相連通，所述第二進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有第二進氣橫截面積，所述第二出氣口沿著垂直氣體流向的方向具有第二出氣橫截面積，所述第二進氣橫截面積大于所述第二出氣橫截面積。

5.根據權利要求4所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一出氣口的長度與所述第一通孔的長度具有第一長度比值，所述第二出氣口與所述第二通孔具有第二長度比值，所述第一長度比值不等于所述第二長度比值。

6.根據權利要求4所述的噴淋頭，其特征在于：所述第一進氣橫截面積與所述第一出氣橫截面積具有第一面積比值，所述第二進氣橫截面積與所述第二出氣橫截面積具有第二面積比值，所述第一面積比值不等于所述第二面積比值。

7.根據權利要求6所述的噴淋頭，其特征在于：所述噴淋頭還包括第三通孔，所述第三通孔具有第三進氣端和第三出氣口，所述第三進氣端和所述第三出氣口相連通，所述第三進氣端沿著垂直氣體流向的方向具有第三進氣橫截面積，所述第三出氣口沿著垂直氣體流向的方向具有第三出氣橫截面積，所述第三進氣橫截面積大于所述第三出氣橫截面積。

8.根據權利要求7所述的噴淋頭，其特征在于：所述第三出氣口的長度與所述第三通孔的長度具有第三長度比值，所述第一出氣口的長度與所述第一通孔的長度具有第一長度比值，所述第二出氣口的長度與所述第二通孔的長度具有第二長度比值，所述第三長度比值、所述第一長度比值與所述第二長度比值互不相等。

9.根據權利要求7所述的噴淋頭，其特征在于：所述第三進氣橫截面積與所述第三出氣橫截面積具有第三面積比值，所述第三面積比值、所述第一面積比值與所述第二面積比值互不相等。