[發明專利]一種半導體器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610331274.8
• 申請日: 2016-05-18
• 公開（公告）號: CN107403754B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 包小燕;董天化;吳亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有圖形化的第一多晶硅層和第二多晶硅層；

在所述圖形化的第一多晶硅層和第二多晶硅層上形成底部硅化物阻擋層、中間硅化物阻擋層和頂部硅化物阻擋層；

圖形化所述頂部硅化物阻擋層，以定義待形成硅化物的區域；

以所述圖形化的頂部硅化物阻擋層為遮蔽層，去除所述中間硅化物阻擋層位于所述待形成硅化物的區域內的部分；

去除所述底部硅化物阻擋層位于所述待形成硅化物的區域內的部分，

其中，所述中間硅化物阻擋層對所述頂部硅化物阻擋層和底部硅化物阻擋層具有選擇性，所述中間硅化物阻擋層的厚度大于所述底部硅化物阻擋層的厚度，所述中間硅化物阻擋層的厚度大于所述頂部硅化物阻擋層的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述底部硅化物阻擋層和頂部硅化物阻擋層為氧化物、中間硅化物阻擋層為氮化物。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述底部硅化物阻擋層為高溫熱氧化物，所述頂部硅化物阻擋層為高溫熱氧化物、等離子體增強氧化物或高溫熱化物，所述中間硅化物阻擋層為氮化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在去除所述中間硅化物阻擋層位于所述待形成硅化物的區域內的部分，和去除所述底部硅化物阻擋層位于所述待形成硅化物的區域內的部分時，采用各向同性刻蝕工藝。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述中間硅化物阻擋層的厚度為

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，所述底部硅化物阻擋層的厚度為

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述頂部硅化物阻擋層的厚度為

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述底部硅化物阻擋層、中間硅化物阻擋層和頂部硅化物阻擋層的總厚度為

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在形成所述底部硅化物阻擋層之后，在所述中間硅化物阻擋層形成之前還包括進行源漏極注入和熱退火的步驟。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，還包括：

以所述底部硅化物阻擋層、中間硅化物阻擋層和頂部硅化物阻擋層為遮蔽層形成硅化物的步驟。

11.一種采用如權利要求1-10中任意一項所述的制作方法制作的半導體器件，其特征在于，包括：半導體襯底，所述半導體襯底上形成有圖形化的第一多晶硅層和第二多晶硅層；在所述圖形化的第一多晶硅層和第二多晶硅層上形成有硅化物。

12.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求11所述的半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件。