[發(fā)明專利]一種硅片隱裂檢測系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610330430.9 | 申請日: | 2016-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN105789082B | 公開(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 朱洪偉;曹偉兵 | 申請(專利權)人: | 上海柏凌電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海世貿專利代理有限責任公司31128 | 代理人: | 嚴新德 |
| 地址: | 201108 上海市閔*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 檢測 系統(tǒng) | ||
技術領域
本發(fā)明涉及物理領域,尤其涉及太陽能硅片隱裂的檢測技術,特別是一種硅片隱裂檢測系統(tǒng)。
背景技術
晶硅太陽能電池技術在光伏發(fā)電領域是占據(jù)著絕對優(yōu)勢的主流技術,晶硅太陽能電池片主要由太陽能等級硅片組成。為保證晶硅太陽能電池片轉換效率滿足技術指標,在生產(chǎn)過程中硅片的幾何參數(shù)、電學參數(shù)、內部缺陷等各種參數(shù)都要經(jīng)過測試并分選以滿足太陽能工業(yè)或者客戶的技術指標。以上各指標里硅片內部缺中的硅片隱裂檢測誤判率很高,會把很多非隱裂硅片誤判為隱裂片,而且數(shù)量比較多,大大降低了硅片出廠良片率。硅片生產(chǎn)廠家目前的解決方式是把所有設備分選下來的隱裂硅片重新讓工人用手拿硅片邊緣并晃動硅片的方式來復檢硅片內部有無隱裂存在,工人晃動力度掌握合理的話內部有隱裂的硅片會破損,反之硅片不會破損。這種檢測方式對工人的技術要求非常高,也很難保證工人晃動硅片所用力度長期的一致性從而產(chǎn)生誤判,并且這種方式的效率很低,已經(jīng)無法滿足目前的生產(chǎn)需求。因此目前對太陽能硅片生產(chǎn)廠家來說急需要一種全自動的太陽能硅片隱裂檢測系統(tǒng)來代替?zhèn)鹘y(tǒng)這種落后低效的檢測方式。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種能區(qū)分硅片內部是否有隱裂的硅片隱裂檢測系統(tǒng)。
為解決上述技術問題,本發(fā)明硅片隱裂檢測系統(tǒng),包括:發(fā)送模塊,所述發(fā)送模塊用于獲取硅片;氣動測試模塊,所述氣動測試模塊接收所述發(fā)送模塊輸送的硅片,并對硅片進行氣動測試;振動測試模塊,所述振動測試模塊接收經(jīng)氣動測試過的硅片,并對硅片進行振動測試;圖像測試模塊,所述圖像測試模塊接收經(jīng)振動測試過的硅片,并對硅片進行圖像測試;接收模塊,所述接收模塊用于接收經(jīng)圖像測試過的硅片。
所述發(fā)送模塊包括:放置單元,硅片堆疊在所述放置單元中;輸送單元,所述輸送單元用于獲取堆疊在所述放置單元中的硅片。
所述放置單元包括:底座;硅片圍欄,所述硅片圍欄設置在所述底座上,硅片放置于所述硅片圍欄中;升降機構,所述升降機構設置在所述底座下方;所述升降機構的位置與所述硅片圍欄的位置相對應。
所述輸送單元包括:氣缸,所述氣缸設置在所述硅片圍欄上方;輸送電缸,所述輸送電缸可在所述電缸的長度方向上滑動;吸盤,所述吸盤設置所述氣缸上。
所述放置單元還包括一吹風機構,所述吹風機構設置在所述底座上。
所述氣動測試模塊包括:支架;內風簾,兩個所述風簾分別與所述支架連接;外風簾,兩個所述外風簾分別設置在兩個所述內風簾的外側。
所述振動測試模塊包括:上下氣缸,在所述上下氣缸固定于振動機構;托片,所述托片設置在所述振動機構上;限位塊,所述限位塊設置在所述托片上,所述限位塊在所述托片上圍成一振動區(qū)域。
所述圖像測試模塊包括:成像機構,在所述成像機構內設有通信模塊;控制單元,所述成像機構通過所述通信模塊與所述控制單元通訊。
所述接收模塊包括合格片接收機構和不良片接收機構。
所述氣動測試模塊和所述振動測試模塊還包括碎片料斗。
本發(fā)明硅片隱裂檢測系統(tǒng)能檢測并分選這部分被誤判成內部有隱裂的硅片,同時具有操作方便、穩(wěn)定、準確,使用高效率的硅片檢測設備。
附圖說明
圖1為本發(fā)明硅片隱裂檢測系統(tǒng)結構示意圖;
圖2為本發(fā)明硅片隱裂檢測系統(tǒng)發(fā)送模塊結構示意圖;
圖3為本發(fā)明硅片隱裂檢測系統(tǒng)氣動測試模塊結構示意圖;
圖4為本發(fā)明硅片隱裂檢測系統(tǒng)振動測試模塊結構示意圖;
圖5為本發(fā)明硅片隱裂檢測系統(tǒng)圖像測試模塊結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發(fā)明硅片隱裂檢測系統(tǒng)作進一步詳細說明。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





