[發明專利]一種窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構

在審

• 申請號: 201610326441.X
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN106601889A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 陳秋勝;詹勛縣
• 申請（專利權）人: 陳秋勝
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：包括階梯狀的陶磁體基座，基座最底層為第三階梯，其中為固晶區，固晶區兩側分別設有一個正極焊線區和負極焊線區，固晶區內鑲有銀塊，銀塊上設有固晶材料，固晶材料上設有半導體發光芯片，加熱使半導體發光芯片固定在陶磁基座上,半導體發光芯片的兩端分別為正電極和負電級，正電極和負電級分別與正極焊線區和負極焊線區焊接金線導通，陶磁體基座背面做成正極焊盤區、負極焊盤區和熱沉區，正極焊線區和負極焊線區分別穿孔填銀漿和正極焊線區、負極焊線區導通,基座的第二級階梯設有無助焊預成型焊片,和透明無機材料制成的玻璃 , 透明無機材料制成的玻璃覆上一層可焊接金屬材料,透明無機材料制成的玻璃安置在無助焊預成型焊片上，真空加熱, 透明無機材料制成的玻璃固定在陶磁體基座，陶磁體基座,的正極焊線區和負極焊線區和固晶區, 陶磁體基座背面的正極焊盤區、負極焊盤區,熱沉區和第二階梯布滿可焊接金屬線路。

2.根據權利要求1所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述半導體發光芯片包括水平結構半導體發光芯片、垂直結構半導體芯片和倒裝結構半導體發光芯片。

3.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述基座最底層的第三階梯包括固晶區和一個焊線區，固晶區鑲銀塊，陶磁體基座背后設熱沉區和焊盤區,焊線區穿孔填銀漿和焊盤區導通,固晶區用鑲銀塊和熱沉區導通。

4.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述三個階梯狀的陶磁體改成二個階梯狀的陶磁體，第一層階梯上布滿可焊接金屬線路，放入預成型焊片，可焊接金屬層的玻璃安置在預成型焊片的上方，在真空加熱, 使透明無機材料制成的玻璃固定在陶磁體基座。

5.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述水平結構半導體發光芯片、垂直結構半導體發光芯片和倒裝結構半導體發光芯片，其波長范圍為200nm~1600nm。

6.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述在固晶區鑲銀塊用填滿銀漿取代、銀柱或陶磁取代。

7.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述三個階梯狀的陶磁體，第二階梯及第三階梯為圓形，一層可接焊接金屬層的金屬化透明材料改成一層可接焊接金屬層的球形金屬化透明材料。

8.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述一層可接焊接金屬層的金屬化透明材料，一層可接焊接金屬層的球形金屬化透明材料材料為二氧化硅主要組成物，其含量在60%以上。

9.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述在一層可接焊接金屬層的球形金屬化透明材料改成非對稱球面，所述在一層可接焊接金屬層的球形金屬化透明材料角度150度到30度。

10.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述固晶材料為可焊接金屬材料，所述固晶材料為銀膠材料，所述無助焊預成型焊片替換為有助焊劑預成型焊片。

11.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述在真空加熱改成充滿隋性氣體或氮氣下加熱。

12.根據權利要求1或2所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述焊接金屬固晶材料包括au80sn20、au20sn80、金鍺、錫、錫銀銅、錫銅、錫銀、錫銻。

13.根據權利要求12所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：所述在真空的狀態加熱改為在常溫或者真空下用激光焊接, 使透明無機材料制成的玻璃固定在基座上。

14.根據權利要求13所述的窗口氣密無硅膠的半導體發光芯片封裝結構，其特征在于：用激光焊接,取消預成型焊片,使透明無機材料制成的玻璃固定在基座上。