[發(fā)明專利]一種紅外光敏二極管及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610303707.9 | 申請日： | 2016-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN105870243B | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 彭坤;劉開鋒;劉紅元 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州智權(quán)電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/102 | 分類號： | H01L31/102;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11246 | 代理人： | 連平 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紅外 光敏 二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種紅外光敏二極管，其特征在于，包括：硅襯底(10)、第一陶瓷纖維層(11)、第一電阻薄膜層(12)、硫化鋅層(13)、碲鎘汞層(14)、第二電阻薄膜層(15)、第二陶瓷纖維層(16)、第一鈍化保護(hù)層(17)、第一電極(18)、第二電極(19)；
所述第一陶瓷纖維層(11)設(shè)置在所述硅襯底(10)的表面，所述第一陶瓷纖維層(11)的表面并列設(shè)置有所述第一電阻薄膜層(12)和所述硫化鋅層(13)，所述硫化鋅層(13)的表面設(shè)置有所述碲鎘汞層(14)，所述碲鎘汞層(14)的表面并列設(shè)置有所述第二陶瓷纖維層(16)和所述第二電阻薄膜層(15)，所述第二陶瓷纖維層(16)的上方設(shè)置有所述第一鈍化保護(hù)層(17)，所述第一電極(18)的電極連接部(1801)依次穿過所述第一鈍化保護(hù)層(17)、所述第二陶瓷纖維層(16)、所述碲鎘汞層(14)、所述硫化鋅層(13)與所述第一電阻薄膜層(12)連接，所述第二電極(19)的電極連接部(1901)依次穿過所述第一鈍化保護(hù)層(17)、所述第二陶瓷纖維層(16)與所述第二電阻薄膜層(15)連接，所述第一電極(18)的電極連接部(1801)和所述第二電極(19)的電極連接部(1901)外部均包覆有豎直方向的第二鈍化保護(hù)層(20)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光敏二極管，其特征在于：
所述第一鈍化保護(hù)層(17)和所述第二鈍化保護(hù)層(20)為氧化硅薄膜層或氮化硅薄膜層或氮氧化硅薄膜層。
3.一種紅外光敏二極管制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：在硅襯底(10)的表面旋涂凝膠可織性溶膠，高溫煅燒所述凝膠可織性溶膠形成第一陶瓷纖維層(11)；
S2：在所述第一陶瓷纖維層(11)的表面沉積電阻薄膜層，在所述電阻薄膜層的上方旋涂光刻膠(30)，干法刻蝕獲取第一電阻薄膜層(12)，去除殘留光刻膠；
S3：在所述第一電阻薄膜層(12)的表面和所述第一陶瓷纖維層(11)的表面制備硫化鋅層(13)，在所述硫化鋅層(13)的表面制備碲鎘汞層(14)；
S4：在所述碲鎘汞層(14)的表面沉積電阻薄膜層，在所述電阻薄膜層的上方旋涂光刻膠(31)，干法刻蝕獲取第二電阻薄膜層(15)，去除殘留光刻膠；
S5：在所述第二電阻薄膜層(15)的表面和所述碲鎘汞層(14)表面旋涂凝膠可織性溶膠，高溫煅燒所述凝膠可織性溶膠形成第二陶瓷纖維層(16)；
S6：在所述第二陶瓷纖維層(16)的表面沉積第一鈍化保護(hù)層(17)，在所述第一鈍化保護(hù)層(17)的上方旋涂光刻膠(32)，干法刻蝕通孔停止在所述第一電阻薄膜層(12)和所述第二電阻薄膜層(15)，形成第一通孔(1802)和第二通孔(1902)；
S7：在所述第一通孔(1802)的表面、所述第二通孔(1902)的表面和所述第一鈍化保護(hù)層(17)的表面采用化學(xué)氣相沉積的方法沉積第二鈍化保護(hù)層(20)，干法刻蝕獲取第一電極(18)和所述第一電阻薄膜層(12)的第一連接孔(1803)、第二電極(19)和所述第二電阻薄膜層(15)的第二連接孔(1903)；
S8：在所述第一連接孔(1803)的表面、所述第二連接孔(1903)的表面和所述第一鈍化保護(hù)層(17)的表面沉積導(dǎo)電材料，形成電極層，在所述電極層的表面旋涂光刻膠(33)，干法刻蝕獲取第一電極(18)、第一電極連接部(1801)、第二電極(19)、第二電極連接部(1901)，去除殘留光刻膠；
S9：切割劃片區(qū)域(401)，獲取單個紅外光敏二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紅外光敏二極管制備方法，其特征在于，步驟S1和步驟S5中：
所述凝膠可織性溶膠為沉積氧化鋁的鋁氧凝膠可織性溶膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紅外光敏二極管制備方法，其特征在于：
將六水合氯化鋁3g、正硅酸四乙酯0.26ml、異丙醇鋁4.6g、無水乙醇8ml、冰醋酸0.8ml、鹽酸2ml、聚乙烯吡咯烷酮0.2g加去離子水?dāng)嚢柚镣该鳙@取所述鋁氧凝膠可織性溶膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紅外光敏二極管制備方法，其特征在于，步驟S2和步驟S4中：
所述第一電阻薄膜層(12)和所述第二電阻薄膜層(15)為采用物理氣相沉積成分比例為50:50的CrNi合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的紅外光敏二極管制備方法，其特征在于，步驟S3中：
制備硫化鋅層(13)采用的方法為化學(xué)氣相沉積方法、分子束外延方法、原子層沉積方法中的一種；制備碲鎘汞層(14)采用的方法為化學(xué)氣相沉積方法、分子束外延方法、原子層沉積方法中的一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
