[發明專利]轉阻放大器

有效

• 申請號: 201610302649.8
• 申請日: 2016-05-09
• 公開（公告）號: CN107359865B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 陳明東;林惠禎;王又法
• 申請（專利權）人: 光寶科技新加坡私人有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03F3/08
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭泰強;李昕巍

1.一種轉阻放大器，其特征在于，包括：

一第一級轉導放大器，具有一輸入端與一輸出端，該第一級轉導放大器的輸入端電性連接于一輸入電流源，以接收一第一輸入信號，再由該第一級轉導放大器的輸出端輸出一第一輸出信號；

一第二級轉導放大器，具有一輸入端與一輸出端，該第二級轉導放大器的輸入端電性連接于該第一級轉導放大器的輸出端，以接收該第一輸出信號，再由該第二級轉導放大器的輸出端輸出一第二輸出信號；以及

一第三級放大器，具有一輸入端與一輸出端，該第三級放大器的輸入端電性連接于該第二級轉導放大器的輸出端，以接收該第二輸出信號，再由該第三級放大器的輸出端輸出一第三輸出信號；

一反饋電路，其一端電性連接于該第一級轉導放大器的輸入端，其另一端電性連接于該第三級放大器的輸出端，以穩定該第三輸出信號；

其中，該第三級放大器包括：

一第一輸出級，該第一輸出級包括一電流源，該電流源電性連接于一供應電壓源與該第三級放大器的輸出端；以及

一第二輸出級，包括一第一NMOS晶體管與一第二PMOS晶體管，該第一NMOS晶體管與該第二PMOS晶體管的柵極相連接以形成該第三級放大器的輸入端，該第二PMOS晶體管的源極電性連接于該供應電壓源，該第二PMOS晶體管的漏極電性與該第一NMOS晶體管的漏極相連接于該第三級放大器的輸出端，且該第一NMOS晶體管的漏極接地；

當該輸入電流源開始輸入電流后，流經該第一NMOS晶體管的電流增加，且同時流經該第二PMOS晶體管的電流減少，使得該第三輸出信號的電壓值增加。

2.如權利要求1所述的轉阻放大器，其特征在于，該反饋電路包括：

一雙極性接面晶體管，其射極電性連接于該輸入電流源，其基極與集極相連接于該第三級放大器的輸出端；以及

一電阻器網絡，并聯于該雙極性接面晶體管。

3.如權利要求2所述的轉阻放大器，其特征在于，該電阻器網絡為一橋接式T形網絡與一電容器，該橋接式T形網絡包括三個電阻器，該電容器的一端電性連接于該橋接式T形網絡，且該電容器的另一端接地。

4.如權利要求1所述的轉阻放大器，其特征在于，該第一級轉導放大器、該第二級轉導放大器與該第三級放大器之間以直接耦接的方式串聯。

5.如權利要求1所述的轉阻放大器，其特征在于，還包括一參考電壓電路，并聯于該第三級放大器，且該參考電壓電路包括一定電流單元、一第三晶體管、一第四晶體管、一第五晶體管、一第六晶體管與一電阻器；

其中，該定電流單元包含一電流鏡與一偏壓電流源，該第五晶體管并聯于該定電流單元且電性連接于該供應電壓源與該參考電壓電路的輸出端之間，該電阻器的一端電性連接于該第六晶體管的源極與柵極，且該電阻器的另一端電性連接于該參考電壓電路的輸出端，該第三晶體管、該第四晶體管與該電流鏡相互并聯，該第四晶體管的漏極形成該參考電壓電路的輸出端，以輸出一參考電壓信號。

6.如權利要求5所述的轉阻放大器，其特征在于，該參考電壓信號的電壓變化率等于該第三輸出信號的電壓變化率。