[發(fā)明專利]半導體組件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610291077.8
• 申請日: 2016-05-04
• 公開（公告）號: CN106972055A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發(fā)明（設計）人: 吳志明
• 申請（專利權）人: 吳志明
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L29/12;H01L51/30
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

1.一種半導體組件，其特征在于，包括：

基板；

接觸層位于所述基板上，其中所述接觸層與可移動對象進行相對運動；以及

活性層位于所述接觸層與所述基板之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述接觸層為介電層。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體組件，其特征在于，所述接觸層的材料包括聚乙二醇、氧化硅、聚酰亞胺、聚偏二氟乙烯、二氧化硅、二氧化鈦、二氧化錫、二硒化鋅、二硒化錫、二氧化釩、多孔性二氧化釩、PCBM、PEDOT、PSS或任何有機與無機的介電系數(shù)>1的材料及其組合。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述接觸層的厚度介于10nm至20mm之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，還包括源極和漏極位于所述接觸層中。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述可移動對象與所述接觸層之間具有相對電位差。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述活性層的材料包括銻化銦、砷化鎵、磷化銦、硅化鍺、碳化硅、鍺、硅、氧化鋅、二氧化鈦、二氧化錫、二氧化釩、五氧化二釩、二硫化鉬、二硒化鎢、二硒化鋅、二硒化錫、二硫化鎢、氧化鎢、二硒化鉬、二硫化鐵、二硫化釩、二硒化釩、二硫化鉻、二硒化鉻、石墨烯、紅磷、黑磷、棕磷、氮化鎵、PCBM、石墨/P3HT：PCBM、MEH-PPV、PEDOT：PS、Alq3、碳60、III-V族或II-VI族半導體或其組合。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，所述可移動對象與所述接觸層之間的一間距的范圍介于10nm至20mm之間。