[發(fā)明專利]新型MOSFET封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610288938.7 | 申請日： | 2016-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN105914193A | 公開（公告）日： | 2016-08-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 于大全;姚明軍;翟玲玲;崔志勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 華天科技（昆山）電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 昆山四方專利事務(wù)所 32212 | 代理人： | 盛建德;段新穎 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 新型 mosfet 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 晶圓級 制作方法 | ||
【說明書】：
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