[發明專利]一種InGaAsP材料掩埋波導結構超輻射發光二極芯片的制作方法有效
| 申請號： | 201610286233.1 | 申請日： | 2016-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN105895754B | 公開（公告）日： | 2018-08-31 |
| 發明（設計）人： | 吳瑞華;唐琦 | 申請（專利權）人： | 武漢光安倫光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人： | 程殿軍;張瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ingaasp 材料 掩埋 波導 結構 輻射 發光二極管 芯片 制作方法 | ||
【權利要求書】：
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