[發(fā)明專利]一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610273817.5 | 申請日： | 2016-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN105762264B | 公開（公告）日： | 2018-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林志偉;陳凱軒;張永;卓祥景;姜偉;方天足;陳亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/58 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司35203 | 代理人： | 廖吉保,唐紹烈 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 梯形 圓臺 微米 發(fā)光二極管 | ||
1.一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管，其特征在于：襯底上表面由下至上依次生成緩沖層、非故意摻雜層及第一部分第一型導(dǎo)電層；第一部分第一型導(dǎo)電層上生成微米孔洞制作層，微米孔洞制作層上設(shè)置上寬下窄的倒梯形微米孔洞，在孔洞內(nèi)由下至上依次生成第二部分第一型導(dǎo)電層、有源區(qū)、電子阻擋層、第一部分第二型導(dǎo)電層，第二部分第一型導(dǎo)電層與第一部分第一型導(dǎo)電層連接；微米孔洞制作層上生成第二部分第二型導(dǎo)電層與第一部分第二型導(dǎo)電層連接；第二部分第二型導(dǎo)電層上表面由下至上依次生成歐姆接觸層和導(dǎo)電層；在第一部分第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，在導(dǎo)電層上設(shè)置第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管，其特征在于：微米孔洞的形狀為上寬下窄的倒梯形圓臺。
3.如權(quán)利要求2所述的一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管，其特征在于：微米孔洞上部直徑為15-30μm，下部直徑為3-15μm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管，其特征在于：微米孔洞的密度范圍104-105個/mm2。
5.如權(quán)利要求1所述的一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管，其特征在于：微米孔洞制作層的厚度為2-5μm。
6.如權(quán)利要求1所述的一種具有倒梯形圓臺體的微米線發(fā)光二極管，其特征在于：微米孔洞制作層的構(gòu)成材料包含二氧化硅、氮化硅。
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