[發明專利]一種提高CRM PFC的零電壓檢測回路可靠性的電路及電子設備

有效

• 申請號: 201610269859.1
• 申請日: 2016-04-27
• 公開（公告）號: CN105759108B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 何春龍;張詩琪;黃磊;錢恭斌;王星光;黃敏;趙博
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: G01R19/175
• 分類號: G01R19/175
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 于標

本發明提供一種提高CRM PFC的零電壓檢測回路可靠性的電路及電子設備，電路包括PFC控制器、第一二極管、第一電阻、第一電容、場效應管、第二電阻，第一二極管正端連接所述PFC控制器輸出端、及第二電阻一端，第二電阻另一端連接第一電阻一端、第一電容一端、及場效應管的G端，第一電阻另一端連接所述第一二極管負端，所述第一電容另一端接地，所述場效應管的S端接地，所述場效應管的D端連接所述PFC控制器的零電壓檢測端。本發明的有益效果是：本發明解決了CRM BOOST PFC在開機時，輸出電壓建立過程中，由于工作在CCM狀態的原因，可能產生誤觸發導通，使MOSFET開關管工作在異常高的頻率的問題。

技術領域

本發明涉及電子設備技術領域，尤其涉及一種提高CRM PFC的零電壓檢測回路可靠性的電路及電子設備。

背景技術

目前很多Boost CRM PFC(升壓型臨界導通模式功率因數矯正)的控制IC(集成電路)，都是通過在PFC(功率因數矯正)電感上增加一個輔助繞組，輔助繞組感應的電壓等于輔助繞組的匝數Ns和PFC(功率因數矯正)電感匝數Np的比值再乘以PFC(功率因數矯正)輸出電壓和PFC(功率因數矯正)輸入電壓的差，當PFC(功率因數矯正)之MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)關斷時，PFC(功率因數矯正)之升壓二極管導通，輔助繞組上感應的電壓為正值，當PFC(功率因數矯正)之升壓二極管和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)開關管都截止時，PFC(功率因數矯正)電感和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)開關管的Coss(金屬氧化物半導體場效應晶體管之輸出電容)振蕩，則MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)之D極的電壓下降，當經過1/4振蕩周期時，輔助繞組上感應的電壓較低，接近于ZCD(零電壓檢測)檢測電路的閥值電壓V_zcd_th，一般將ZCD(零電壓檢測)檢測電路的閥值電壓設定在1.5V以下，而為了達到在MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)振蕩的谷底導通，所以輔助繞組的輸出端經過RC(電阻和電容)濾波延遲，再到PFC(功率因數矯正)控制器的ZCD(零電壓檢測)檢測PIN(腳位)，使PFC(功率因數矯正)控制器之ZCD(零電壓檢測)檢測PIN(腳位)電壓達到其閥值電壓時，剛好是振蕩電壓的谷底，從而PFC控制器輸出高電平，驅動PFC(功率因數矯正)之MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)開關管導通。

目前的技術存在有如下缺陷：