[發(fā)明專利]非化學(xué)計量化學(xué)氣相沉積電介質(zhì)膜表面鈍化方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610269104.1
• 申請日: 2009-11-11
• 公開（公告）號: CN105719962A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘭斯·金;金光勛
• 申請（專利權(quán)）人: 密克羅奇普技術(shù)公司
• 主分類號: H01L21/30
• 分類號: H01L21/30;H01L21/3105
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種用于在電介質(zhì)膜的化學(xué)氣相沉積中減小膜表面粗糙度的方法，其由如下 順序的步驟組成：

提供含有頂部表面的晶片；

在所述頂部表面執(zhí)行第一電介質(zhì)膜的化學(xué)氣相沉積，其中通過用第一反應(yīng)物氣體 原位進(jìn)行化學(xué)氣相沉積對所述第一電介質(zhì)膜的非化學(xué)計量膜表面進(jìn)行鈍化，從而移除 所述第一電介質(zhì)膜的膜表面上的懸掛鍵；

直接在所述第一電介質(zhì)膜的頂部執(zhí)行第二電介質(zhì)膜的至少一個后續(xù)化學(xué)氣相沉 積；

通過用第二反應(yīng)物氣體對所述第二電介質(zhì)膜的膜表面進(jìn)行鈍化，從而移除所述第 二電介質(zhì)膜的膜表面上的懸掛鍵；

其中通過從先前電介質(zhì)膜的膜表面移除懸掛鍵，針對每個電介質(zhì)膜的每個鈍化步 驟減小后續(xù)膜的表面粗糙度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物氣體和所述第二反應(yīng)物氣 體包括選自由以下各項組成的群組的至少一者：氨氣(NH₃)、氫氣(H₂)及氧氣(O₂)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中以電介質(zhì)膜沉積序列原位執(zhí)行鈍化步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一電介質(zhì)膜和/或所述第二電介質(zhì)膜 包括選自由以下各項組成的群組的至少一者：透紫外光氮化硅、富硅氧化物、二氧化 硅、氮化硅、磷硅酸鹽玻璃及氧氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物氣體和所 述第二反應(yīng)物氣體包括選自由以下各項組成的群組的至少一者：氨氣、氫氣、一氧化 二氮及氧氣。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物氣體和所 述第二反應(yīng)物氣體包括選自由以下各項組成的群組的至少一者：氨氣、氫氣及氧氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述鈍化步驟為制造芯片、集成電路或半 導(dǎo)體的一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一電介質(zhì)膜和/或 所述第二電介質(zhì)膜包括來自由以下各項組成的群組的至少一者：金屬前電介質(zhì)膜、金 屬間電介質(zhì)膜及鈍化膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的方法，其中從由以下各項組成的群組 中選擇化學(xué)氣相沉積方法：熱化學(xué)氣相沉積、大氣壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉 積、超高真空化學(xué)氣相沉積、氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積、直接液體注入化學(xué)氣相沉積、 微波等離子輔助化學(xué)氣相沉積、等離子增強化學(xué)氣相沉積、遠(yuǎn)距等離子增強化學(xué)氣相 沉積、原子層化學(xué)氣相沉積、熱線化學(xué)氣相沉積、催化化學(xué)氣相沉積、熱絲化學(xué)氣相 沉積、金屬有機化學(xué)氣相沉積、混合的物理-化學(xué)氣相沉積、快速熱化學(xué)氣相沉積及氣 相外延。