[發(fā)明專利]一種三線制LVDT的繞線工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610260278.1 | 申請日： | 2016-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN105719829B | 公開（公告）日： | 2017-09-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張裕悝;張冰;衛(wèi)海燕 | 申請（專利權）人： | 安徽感航電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01F41/064 | 分類號： | H01F41/064 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三線 lvdt 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種三線制LVDT的繞線工藝，其特征在于：所述工藝步驟如下：
第一步：次級Ⅰ繞線：
繞線從中點即230mm處開始，次級Ⅰ向右密繞2層，每層662.8圈；
第3層為間繞A，密繞331.4圈，間繞A；
第4層間繞A，拉出一根引出線，與左半邊第5層開始線在外部連接；
第二步：次級Ⅱ繞線：
次級Ⅱ從中點向左密繞2層，每層662.8圈；
第3層為密繞331.4圈，間繞B；
第4層間繞B，接下去繞右半邊第5層，密繞331.4圈，間繞B；
第6層間繞B，結束為次級Ⅱ尾；
左半邊從第5層中點開始，向左密繞331.4圈，間繞A；
第6層間繞A，結束為次級Ⅰ尾；
第三步：左半邊第5、6層與右半邊第1、2、3、4層組成次級Ⅰ整個線圈。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種三線制LVDT的繞線工藝，其特征在于：第一步至第三步中的繞線間距均為0.346mm。
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