[發明專利]一種改善軟硬結合板后開蓋鐳射切割結構及其加工工藝

有效

• 申請號: 201610249041.3
• 申請日: 2016-04-20
• 公開（公告）號: CN105682357B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 華福德;張志敏
• 申請（專利權）人: 高德（無錫）電子有限公司
• 主分類號: H05K1/14
• 分類號: H05K1/14;H05K3/00;H05K3/36
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 殷紅梅;張仕婷

1.一種改善軟硬結合板后開蓋鐳射切割的結構，其特征是：包括內層芯板軟板（5）、內層芯板硬板層（6）、第一介質層半固化片（4-1）、第二介質層半固化片（4-2）和第三銅箔（2-3）；

按照順序自上到下依次設置，具體為：第三銅箔（2-3）、第二介質層半固化片（4-2）、內層芯板硬板層（6）、第一介質層半固化片（4-1）、內層芯板軟板（5）、第一介質層半固化片（4-1）、內層芯板硬板層（6）、第二介質層半固化片（4-2）和第三銅箔（2-3）；經過壓合后得到產品改善軟硬結合板后開蓋鐳射切割的結構；

所述內層芯板軟板（5）包括第一基材（1-1）和第一銅箔（2-1），在第一基材（1-1）上下均設置開窗的第一銅箔（2-1）；

所述內層芯板硬板層（6）上設有阻擋塊（3），阻擋塊（3）均面向內層芯板的軟板（5）；

所述內層芯板硬板層（6）包括第二基材（1-2）、第二銅箔（2-2）和阻擋塊（3）；在第二基材（1-2）上下均設有開窗的第二銅箔（2-2），其中一側第二銅箔（2-2）上開窗處對應設有阻擋塊（3）。

2.一種權利要求1所述改善軟硬結合板后開蓋鐳射切割的結構的工藝，其特征是步驟為：

（1）內層芯板的軟板的制作：在第一基材（1-1）上下均設置開窗的第一銅箔（2-1）；

（2）內層芯板的硬板層的制作：在第二基材（1-2）一側設置開窗的第二銅箔（2-2），另一側對應所開窗兩側均設有阻擋塊（3）；所述硬板層為兩張；

（3）第一介質層半固化片的制作：取第一介質層半固化片（4-1），對應步驟（1）開窗處同樣開窗；

（4）第二介質層半固化片的制作：取第二介質層半固化片（4-2），對應內層芯板區域不開窗，保留整張半固化片；

（5）壓合：自上至下依次為開窗的第三銅箔（2-3）、步驟（4）制備的第二介質層半固化片（4-2）、步驟（2）制備的內層芯板硬板層（6）、步驟（3）制備的第一介質層半固化片（4-1）、步驟（1）制備的內層芯板軟板（5）、步驟（3）制備的第一介質層半固化片（4-1）、步驟（2）制備的硬板層、步驟（4）制備的第二介質層半固化片（4-2）和開窗的第三銅箔（2-3）；壓合；

（6）鐳射切割開蓋：鐳射切割開蓋時，鐳射定深切割經由阻擋塊（3）擋住激光，使得激光不至于切割到阻擋塊下層內層芯板的軟板。

3.如權利要求2所述改善軟硬結合板后開蓋鐳射切割的結構的工藝，其特征是：步驟（5）中，阻擋塊（3）均面向內層芯板的軟板（5）。

4.如權利要求2所述改善軟硬結合板后開蓋鐳射切割的結構的工藝，其特征是：所述阻擋塊（3）的長邊比內層芯板的軟板長度長0.1mm以上，寬度比內層芯板的軟板寬0.4mm以上。

5.如權利要求2所述改善軟硬結合板后開蓋鐳射切割的結構的工藝，其特征是：所述阻擋塊（3）的正中心與內層芯板的軟板與硬板層的交界線齊平。