[發明專利]存儲裝置與電阻式存儲單元的操作方法有效
| 申請號： | 201610246584.X | 申請日： | 2016-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN106992248B | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發明（設計）人： | 吳昭誼;李岱螢;李明修;王典彥 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 裝置 電阻 單元 操作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種存儲裝置，其特征在于，包括：
一電阻式存儲單元，包括一第一電極、一第二電極及一存儲膜，其中該存儲膜在該第一電極與該第二電極之間，其中：
該第一電極包括一底電極部分與從該底電極部分向上延伸的一壁電極部分，該壁電極部分在該存儲膜與該底電極部分之間，
該壁電極部分與該存儲膜的寬度是小于該底電極部分的寬度。
2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中該存儲膜具有一高度H1，該第一電極具有一高度H2，0＜H1/H2＜0.1。
3.根據權利要求1所述的存儲裝置，還包括一導電層，其中該第一電極在該導電層上，該壁電極部分具有一寬度L1，該導電層具有一寬度L2，0＜L1/L2＜0.5。
4.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中該壁電極部分與該存儲膜具有相同的寬度。
5.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中該底電極部分與該壁電極部分之間具有一夾角，介于45度至90度。
6.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中該第一電極具有一L形狀。
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