[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610245440.2
• 申請日: 2016-04-19
• 公開（公告）號: CN105742298B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 曹占鋒;張斌;何曉龍;姚琪;李正亮;關峰;高錦成;張偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種顯示基板的制備方法，所述顯示基板包括周邊電路區域和有效顯示區域；其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底基板上方形成覆蓋所述襯底基板的金屬層；其中，所述金屬層包括對應于所述周邊電路區域的金屬層第一部分和對應于所述有效顯示區域的金屬層第二部分；

對所述金屬層進行第一次構圖工藝處理，以使得所述金屬層第一部分刻蝕形成第一圖案、所述金屬層第二部分刻蝕形成第二圖案；其中，所述金屬層第一部分被刻蝕掉的區域面積與所述金屬層第二部分被刻蝕掉的區域面積具有第一預設差值；其中，所述第一預設差值為所述金屬層第一部分被刻蝕掉的區域面積的0～20％；

對所述第一圖案和所述第二圖案進行第二次構圖工藝處理，形成位于所述周邊電路區域內的第三圖案、位于所述有效顯示區域內的第四圖案；其中，所述第一圖案被刻蝕掉的區域面積與所述第二圖案被刻蝕掉的區域面積具有第二預設差值；其中，所述第二預設差值為所述第一圖案被刻蝕掉的區域面積的0～20％。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述顯示基板具體為陣列基板；所述周邊電路區域包括：GOA柵極驅動電路區域和扇出區域；所述GOA柵極驅動電路區域包括：對應于P型薄膜晶體管的第一子區和對應于N型薄膜晶體管的第二子區；所述有效顯示區域包括：對應于N型薄膜晶體管的第三子區、對應于公共電極線的第四子區以及其他區域。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底基板上方形成覆蓋所述襯底基板的柵金屬層；

對所述柵金屬層進行第一次構圖工藝處理，在所述柵金屬層對應于所述周邊電路區域的柵金屬層第一部分刻蝕形成第一圖案、在所述柵金屬層對應于所述有效顯示區域的柵金屬層第二部分刻蝕形成第二圖案；其中，所述柵金屬層第一部分被刻蝕掉的區域面積與所述柵金屬層第二部分被刻蝕掉的區域面積具有第一預設差值；所述第一圖案包括：位于所述第一子區內的第一柵圖案、覆蓋所述第二子區的第一保留圖案和位于所述扇出區域的數據線引線的圖案；所述第二圖案包括：覆蓋所述第三子區的第二保留圖案、位于所述第四子區內的公共電極線的圖案和位于所述其他區域的條形圖案；

在所述第一子區、所述數據線引線、所述公共電極線、所述第二子區對應于待形成的第二柵圖案的區域以及所述第三子區對應于待形成的第三柵線的區域上形成光刻膠保護層，并對所述第一圖案和所述第二圖案未被所述光刻膠保護層覆蓋的部分進行第二次構圖工藝處理，形成位于所述第二子區內的第三圖案、位于所述第三子區內的第四圖案；其中，所述第一圖案被刻蝕掉的區域面積與所述第二圖案被刻蝕掉的區域面積具有第二預設差值；所述第三圖案對應于所述第二柵圖案；所述第四圖案對應于所述第三柵線的圖案。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底基板上方形成覆蓋所述襯底基板的柵金屬層；

對所述柵金屬層進行第一次構圖工藝處理，在所述柵金屬層對應于所述周邊電路區域的柵金屬層第一部分刻蝕形成第一圖案、在所述柵金屬層對應于所述有效顯示區域的柵金屬層第二部分刻蝕形成第二圖案；其中，所述柵金屬層第一部分刻蝕掉的區域面積與所述柵金屬層第二部分刻蝕掉的區域面積具有第一預設差值；所述第一圖案包括：位于所述第一子區內的第一柵圖案、覆蓋所述第二子區的第一保留圖案和位于所述扇出區域的數據線引線的圖案；所述第二圖案包括：覆蓋所述第三子區的第二保留圖案、覆蓋所述第四子區的第三保留圖案和位于所述其他區域的條形圖案；

在所述第一子區、所述數據線引線、所述第二子區對應于待形成的第二柵圖案的區域、所述第三子區對應于待形成的第三柵線的區域以及所述第四子區對應于待形成的公共電極線的區域上形成光刻膠保護層，并對所述第一圖案和所述第二圖案未被所述光刻膠保護層覆蓋的部分進行第二次構圖工藝處理，形成位于所述第二子區內的第三圖案、位于所述有效顯示區域內的第四圖案；其中，所述第一圖案被刻蝕掉的區域面積與所述第二圖案被刻蝕掉的區域面積具有第二預設差值；所述第三圖案對應于所述第二柵圖案；所述第四圖案包括：位于所述第三子區內的所述第三柵線的圖案和位于所述第四子區內的所述公共電極線的圖案。