[發(fā)明專利]逆變器及其控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610243872.X
• 申請日: 2016-04-19
• 公開（公告）號: CN107317503B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 翁炳文;陳建明;朱選才;章進(jìn)法
• 申請（專利權(quán)）人: 臺達(dá)電子企業(yè)管理（上海）有限公司
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 姜怡;闞梓瑄

本發(fā)明公開一種逆變器及其控制方法。逆變器包括第一橋臂，包括第一、第二、第三和第四MOSFET開關(guān)；第二橋臂，并聯(lián)第一橋臂，包括第五、第六、第七和第八MOSFET開關(guān)；第三橋臂，電性耦接第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間，包括第九、第十、第十一和第十二MOSFET開關(guān)；第一二極管，與反向串聯(lián)的第一、第二MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第二二極管，與反向串聯(lián)的第三、第四MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第三二極管，與反向串聯(lián)的第五、第六MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第四二極管，與反向串聯(lián)的第七、第八MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第五二極管，與反向串聯(lián)的第九、第十MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第六二極管，與反向串聯(lián)的第十一、第十二MOSFET開關(guān)并聯(lián)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)，尤其涉及一種逆變器及其控制方法。

背景技術(shù)

隨著傳統(tǒng)能源供應(yīng)的日益緊張，以及全球氣候問題的日益惡化，人類對可再生能源的需求變得日益迫切。作為清潔能源的太陽能發(fā)電，以其用之不竭、無污染等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，得到了社會各界的廣泛關(guān)注與應(yīng)用。目前，人們對采用可再生能源的分布式發(fā)電技術(shù)日益關(guān)注，作為可再生能源的核心部件，DC/AC逆變器的效率、體積也一直是國內(nèi)外電力電子界的研究重點(diǎn)。

逆變器是把直流電能(例如，電池、蓄電瓶的電能)轉(zhuǎn)變成交流電，它由逆變橋、控制電路和濾波電路組成。在光伏產(chǎn)業(yè)中，太陽能逆變器主要功能是將太陽能電池板輸出的直流電逆變成交流電。直流電通過全橋電路，一般采用SPWM處理器經(jīng)過調(diào)制、濾波、升壓等，得到與負(fù)載/電網(wǎng)頻率、額定電壓等相匹配的正弦交流電供系統(tǒng)終端用戶使用。

目前各國法規(guī)均要求光伏逆變器有無功傳遞功能，因此解決無功傳遞時的效率，對降低光伏逆變器的體積變得異常重要。

因此，需要一種新的逆變器及其控制方法。

在所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種逆變器及其控制方法，能夠提供一種新的逆變器的逆變橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以提升效率。

本發(fā)明的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過本公開的實踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開的一方面，提供一種逆變器，包括：第一橋臂，電性耦接所述逆變器的第一輸入端和第二輸入端，所述第一橋臂包括第一MOSFET開關(guān)、第二MOSFET開關(guān)、第三MOSFET開關(guān)和第四MOSFET開關(guān)，所述第二、第三MOSFET開關(guān)之間的連接點(diǎn)作為第一節(jié)點(diǎn)；第二橋臂，并聯(lián)所述第一橋臂，所述第二橋臂包括第五MOSFET開關(guān)、第六MOSFET開關(guān)、第七M(jìn)OSFET開關(guān)和第八MOSFET開關(guān)，所述第六、第七M(jìn)OSFET開關(guān)之間的連接點(diǎn)作為第二節(jié)點(diǎn)；以及第三橋臂，電性耦接于所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間，所述第三橋臂包括第九MOSFET開關(guān)、第十MOSFET開關(guān)、第十一MOSFET開關(guān)和第十二MOSFET開關(guān)；第一二極管，與反向串聯(lián)的所述第一、第二MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第二二極管，與反向串聯(lián)的所述第三、第四MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第三二極管，與反向串聯(lián)的所述第五、第六MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第四二極管，與反向串聯(lián)的所述第七、第八MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第五二極管，與反向串聯(lián)的所述第九、第十MOSFET開關(guān)并聯(lián)；第六二極管，與反向串聯(lián)的所述第十一、第十二MOSFET開關(guān)并聯(lián)，并與所述第五二極管反向串聯(lián)；第一電感器，其中所述第一電感器電性耦接于所述第一節(jié)點(diǎn)和逆變器的第一輸出端；以及第二電感器，其中所述第二電感器電性耦接于所述第二節(jié)點(diǎn)和逆變器的第二輸出端。

于一實施例中，還包括：電磁干擾濾波器，其中所述電磁干擾濾波器耦接于所述第一電感器、第二電感器與所述第一輸出端、第二輸出端之間。

于一實施例中，其中所述第一、第三、第五、第七、第九和第十二MOSFET開關(guān)為高壓MOSFET，以及所述第二、第四、第六、第八、第十和第十一MOSFET開關(guān)為低壓MOSFET。