[發明專利]一種In摻雜MoO3薄膜的制備方法及其在QLED中的應用

有效

• 申請號: 201610242575.3
• 申請日: 2016-04-19
• 公開（公告）號: CN105789467B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然;楊一行;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

本發明提供了一種In摻雜MoO₃薄膜的制備方法及其在QLED中的應用。所述In摻雜MoO₃薄膜的制備方法，包括以下步驟：提供銦鹽和MoO₃，將所述銦鹽和MoO₃溶于有機溶劑中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入無機酸后進行加熱處理，得到前驅體溶液，其中，所述加熱處理的溫度為50?80℃；提供基底，將所述前驅體溶液采用溶液加工方法沉積在所述基底上，然后進行退火處理，得到In摻雜MoO₃薄膜，其中，所述退火溫度為150?350℃，時間為15?30min。

技術領域

本發明屬于平板顯示技術領域，尤其涉及一種In摻雜MoO₃薄膜的制備方法及其在QLED中的應用。

背景技術

近年來，由于具有光色純度高、發光量子效率高、發光顏色可調、使用壽命長等優點，以量子點材料作為發光層的量子點發光二極管(QLED)受到了廣泛的關注，成為目前新型LED研究的主要方向。現有的QLED通常包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和陰極。其中，空穴注入層作為功能層，能夠降低空穴的注入勢壘，從而提高載流子遷移效率。

PEDOT:PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸)是一種聚合物材料，由于兼具高透光率、高功函數、平整的形貌和良好的導電性等優點，被廣泛用作 QLED的空穴注入層材料。采用PEDOT:PSS修飾ITO，可以提高其功函數和膜的平整度。然而，大量研究數據表明，PEDT:PSS具有酸性和易吸水的特性，因此，以PEDOT:PSS作為空穴注入層材料，會對ITO產生腐蝕，進而對QLED 器件的穩定性產生不利影響。為了解決此問題，有研究者使用金屬氧化物來替代PEDOT:PSS，比如V₂O₅、WO₃、NiO、和MoO₃等。其中，MoO₃因具有無毒、比較深的能級結構、寬帶隙和良好的電子阻擋性能等優點，成為PEDOT:PSS 的替代材料。目前，已經大量使用氧化鉬作為空穴注入層、應用到OPV和OLED 中的報道。但是，由于氧化鉬本身的電阻值很高，因此，其對QLED電荷的傳輸和注入帶來了影響。為了克服氧化鉬電阻值過高的問題，有學者嘗試通過In 摻雜氧化鉬的方式來改變氧化鉬的電阻和透光率，具體的，該方法通過將氧化鉬和氧化銦的粉末混合，然后在馬弗爐里面使用高達950℃的高溫進行煅燒，使其產生摻雜。顯然，該高溫煅燒的方式不適用于QLED功能層的制備。因此，尋找一種適于QLED、功函數可調、且低溫制備In摻雜的氧化鉬的方法，是亟待解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種In摻雜MoO₃薄膜的制備方法，旨在解決氧化鉬由于本身電阻值過高影響電荷的傳輸和注入、而現有的In摻雜MoO₃的制備方法需經高溫煅燒、不適用于QLED空穴注入層制備的問題。

本發明的另一目的在于提供一種空穴注入層為In摻雜MoO₃薄膜的QLED。

本發明的再一目的在于提供一種空穴注入層為In摻雜MoO₃薄膜的QLED 的制備方法。

本發明是這樣實現的，一種In摻雜MoO₃薄膜的制備方法，包括以下步驟：

提供銦鹽和MoO₃，將所述銦鹽和MoO₃溶于有機溶劑中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入無機酸后進行加熱處理，得到前驅體溶液，其中，所述加熱處理的溫度為50-80℃；

提供基底，將所述前驅體溶液采用溶液加工方法沉積在所述基底上，然后進行退火處理，得到In摻雜MoO₃薄膜，其中，所述退火溫度為150-350℃，時間為15-30min。