[發(fā)明專利]穩(wěn)定的以氣體為絕緣層的納米線場效應(yīng)晶體管及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610237551.9
• 申請日: 2016-04-14
• 公開（公告）號: CN105742347A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 塔力哈爾·夏依木拉提;李文亮;彭敏;馮艷;謝寧
• 申請（專利權(quán)）人: 塔力哈爾·夏依木拉提
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L29/10;H01L21/335;B82Y10/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 徐寧;孫楠

1.一種穩(wěn)定的以氣體為絕緣層的納米線場效應(yīng)晶體管，其特征在于：它包括柵極、支撐層、源漏電極、微納單晶半導(dǎo)體和氣體間隙絕緣層；所述柵極為襯底，所述柵極上部設(shè)置有所述支撐層，所述支撐層上部兩側(cè)各設(shè)置有一個所述源漏電極，在兩所述源漏電極之間設(shè)置有所述微納單晶半導(dǎo)體；位于兩所述源漏電極之間的所述微納單晶半導(dǎo)體下方，在所述支撐層上縱向間隔設(shè)置有若干溝道，相鄰溝道之間形成溝槽；由所述柵極上部、所述微納單晶半導(dǎo)體下部和所述支撐層中間的溝槽構(gòu)成若干個所述氣體間隙絕緣層。

2.如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定的以氣體為絕緣層的納米線場效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述柵極表層具有導(dǎo)電特性，導(dǎo)電要求是所述柵極本身導(dǎo)電，或是在所述柵極表層設(shè)置有導(dǎo)電薄膜。

3.如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定的以氣體為絕緣層的納米線場效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述氣體間隙絕緣層的寬度為2-5微米。

4.如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定的以氣體為絕緣層的納米線場效應(yīng)晶體管，其特征在于：以氣體為絕緣層的納米線場效應(yīng)晶體管器件采用微納單晶單根或單晶多根材料制作，或采用不同的微納單晶制作。

5.一種如權(quán)利要求1-4任一項所述穩(wěn)定的以氣體為絕緣層的納米線場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)對襯底進(jìn)行清洗，將有機(jī)絕緣材料溶解到溶劑中；

2)將配置好的溶液滴到襯底上后進(jìn)行旋涂，隨后放置在熱板上進(jìn)行烘干；

3)最終獲得支撐層的厚度為100-500nm，通過電子束曝光或光刻技術(shù)制備等間距的溝槽，每一個溝槽寬度在2-5微米；

4)挑選微納晶體寬度在40-2000nm的一維微納材料，采用機(jī)械探針移動的方法，將微納晶體移動到溝槽的正上方，使微納晶體橫跨溝道寬度方向擺放；

5)采用金片貼膜電極法制備源漏電極。

6.如權(quán)利要求5所述的穩(wěn)定的以氣體為絕緣層的納米線場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于：所述步驟1)中，溶劑不能侵蝕襯底，有機(jī)絕緣材料為PMMA、AZ1505或MOR3B，溶劑為丙酮、茴香醚、四氫呋喃或二甲基甲酰胺。