[發明專利]OLED顯示器件及其制作方法有效
| 申請號: | 201610235382.5 | 申請日: | 2016-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN105679807B | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 彭其明;李先杰 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 器件 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種OLED顯示器件及其制作方法,所述OLED顯示器件包括:基板、于所述基板上自下而上依次形成的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極、與所述基板相對設置的覆蓋所述基板的蓋板、及設于所述基板邊緣與所述蓋板之間的封裝膠材;其中,所述電子傳輸層的材料為有機電子傳輸材料與有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物,通過采用有機電子傳輸材料與有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物來制作電子傳輸層,能夠增強電子傳輸層的電子遷移率,平衡OLED顯示器件的載流子注入傳輸,提升OLED顯示器件的發光效率,同時降低成膜難度,提高成膜質量,保證OLED顯示器件的穩定性。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示器件及其制作方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Display,OLED)顯示器件具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。
OLED顯示器件屬于自發光型顯示設備,通常包括分別用作陽極、與陰極的像素電極、和公共電極、以及設在像素電極與公共電極之間的有機發光層,使得在適當的電壓被施加于陽極與陰極時,從有機發光層發光。有機發光層包括了設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層,其發光機理為在一定電壓驅動下,電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子注入層和空穴注入層,電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層,并在發光層中相遇,形成激子并使發光分子激發,后者經過輻射弛豫而發出可見光。
雖然OLED顯示器件已經實現了商業生產,但其發光效率還有較大的提升空間。在現有技術中,OLED顯示器件的電子傳輸層和空穴傳輸層均為有機層。而通常電子傳輸層的電子遷移率遠低于空穴傳輸層的空穴遷移率,導致OLED顯示器件內部載流子的傳輸不平衡,進而降低OLED顯示器件的發光效率。
有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料(Organometal halide perovskites)被認為是具有卓越光電性能的半導體材料,其具有很長的載流子擴散長度(高達1μm)、高載流子遷移率(約10cm2/Vs),兼具無機半導體的光電特性及有機材料的低溫成膜優點,非常適合低成本、大面積及柔性基底器件的工業化生產。
然而,目前技術制備高質量的有機金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜還相對困難,因此,有必要研發一種新的,結合有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料,制作工藝較簡單、穩定性高、成膜質量好、載流子注入傳輸平衡的OLED顯示器件結構。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED顯示器件,能夠提高OLED顯示器件的發光效率,提升OLED顯示器件的性能。
本發明的目的還在于提供一種OLED顯示器件的制作方法,能夠簡單快捷的制作成膜制量好、載流子注入傳輸平衡、且發光效率高的OLED顯示器件。
為實現上述目的,本發明提供了一種OLED顯示器件,包括:基板、形成于所述基板上的陽極、形成于所述陽極上的空穴注入層、形成于所述空穴注入層上的空穴傳輸層、形成于所述空穴傳輸層上的發光層、形成于所述發光層上的空穴阻擋層、形成于所述空穴阻擋層上的電子傳輸層、形成于所述電子傳輸層上的電子注入層、形成于所述電子注入層上的陰極、與所述基板相對設置的覆蓋所述基板的蓋板、及設于所述基板邊緣與所述蓋板之間的封裝膠材;
所述電子傳輸層的材料為有機電子傳輸材料與有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物。
所述有機電子傳輸材料與有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料的混合物中,有機電子傳輸材料與有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料混合質量比為1:0.5至1:50。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





