[發明專利]AMOLED像素驅動電路及像素驅動方法

有效

• 申請號: 201610225567.8
• 申請日: 2016-04-12
• 公開（公告）號: CN105702214B
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: 蔡玉瑩
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/3258
• 分類號: G09G3/3258
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種AMOLED像素驅動電路，其特征在于，包括：第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第一電容(C1)、第二電容(C2)、及有機發光二極管(D1)；各個薄膜晶體管均為P型薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管(T1)為驅動薄膜晶體管，其柵極經由第一節點(A)電性連接于第一電容(C1)的一端，源極 接入電源正電壓(VDD)，漏極 電性連接于有機發光二極管(D1)的陽極；

第二薄膜晶體管(T2)的柵極接入該像素驅動電路所在行對應的第n條掃描信號(SCAN(n))，源極 接入數據信號(data)，漏極經由第二節點(B)電性連接于第一電容(C1)的另一端；

第三薄膜晶體管(T3)的柵極接入該像素驅動電路所在行的下一行對應的第n+1條掃描信號(SCAN(n+1))，源極 電性連接于第二節點(B)，漏極 接入基準參考電壓(Vref)；

第四薄膜晶體管(T4)的柵極接入該像素驅動電路所在行對應的第n條掃描信號(SCAN(n))，源極 電性連接于第一節點(A)，漏極電性連接于有機發光二極管(D1)的陽極；

第一電容(C1)的一端電性連接于第一節點(A)，另一端電性連接于第二節點(B)；

第二電容(C2)的一端電性連接于第一節點(A)，另一端電性連接于電源正電壓(VDD)；

有機發光二極管(D1)的陽極電性連接于第一薄膜晶體(T1)的漏極 和第四薄膜晶體管(T4)的漏極 ，陰極電性連接于電源負電壓(VSS)；

掃描信號為脈沖信號，所述第n+1條掃描信號(SCAN(n+1))的下降沿晚于第n條掃描信號(SCAN(n))的上升沿；

所述第n條掃描信號(SCAN(n))與第n+1條掃描信號(SCAN(n+1))相組合，先后對應于一閾值電壓感測階段(1)、一保持階段(2)、一編程階段(3)、及一發光階段(4)；

在所述閾值電壓感測階段(1)，第n條掃描信號(SCAN(n))為低電位，第n+1條掃描信號(SCAN(n+1))為高電位；

在所述保持階段(2)，第n條掃描信號(SCAN(n))為高電位，第n+1條掃描信號(SCAN(n+1))為高電位；

在所述編程階段(3)，第n條掃描信號(SCAN(n))為高電位，第n+1條掃描信號(SCAN(n+1))為低電位；

在所述發光階段(4)，第n條掃描信號(SCAN(n))為高電位，第n+1條掃描信號(SCAN(n+1))為高電位。

2.如權利要求1所述的AMOLED像素驅動電路，其特征在于，所述基準參考電壓(Vref)為一恒定電壓。

3.如權利要求1所述的AMOLED像素驅動電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、及第四薄膜晶體管(T4)均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。