[發明專利]用于AlGaN光電器件的多量子阱結構及制備方法在審
| 申請號： | 201610222440.0 | 申請日： | 2016-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN105845796A | 公開（公告）日： | 2016-08-10 |
| 發明（設計）人： | 劉雅麗;金鵬;王占國 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 algan 光電 器件 多量 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所，未經中國科學院半導體研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610222440.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種肥料擠壓式造粒機
- 下一篇：一種加料裝置
