[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610221577.4
• 申請日: 2016-04-11
• 公開（公告）號: CN107293532B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 陳士弘
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L21/48
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 任巖

1.一種半導體結構，包括：

一疊層結構，包括：

多個導電層；及

多個絕緣層，這些導電層與這些絕緣層系交錯疊層設置；

一刻蝕停止層，包括第一停止層和第二停止層，該第一停止層是從該疊層結構的一側壁方向對這些導電層進行氧化，以沿著該側壁形成多個氧化層，這些氧化層與其鄰近的絕緣層部分彼此相連接形成該第一停止層；該第二停止層形成于該疊層結構的該側壁上并且直接接觸由這些氧化層與其鄰近的絕緣層部分構成的該第一停止層；其中該刻蝕停止層的一能帶寬度系大于6電子伏特；以及

多個導電結構，該多個導電結構的至少其中之一電性連接于這些導電層的至少其中之一，且其中該刻蝕停止層具有彼此相連接的一垂直段以及一水平段，該垂直段位于該側壁上，該導電結構穿過該水平段以電性連接于該至少其中之一個導電層，且該導電結構直接連接該刻蝕停止層的該垂直段。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該刻蝕停止層位于該導電結構和該側壁之間。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，這些導電結構分別電性連接于各個這些導電層。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，該刻蝕停止層采用的材料包括氧化鋁、氧化鎂、硅鋯氧化物、硅鉿氧化物或上述的組合。

5.一種半導體結構的制造方法，包括：

形成一疊層結構，包括：

形成多個導電層；及

形成多個絕緣層，這些導電層與這些絕緣層系交錯疊層設置；

形成一刻蝕停止層于該疊層結構的一側壁上，其中該刻蝕停止層的一能帶寬度系大于6電子伏特；以及

形成多個導電結構，該多個導電結構的至少其中之一電性連接于這些導電層的至少其中之一，且其中該刻蝕停止層具有彼此相連接的一垂直段以及一水平段，該垂直段位于該側壁上，該導電結構穿過該水平段以電性連接于該至少其中之一個導電層，且該導電結構直接連接該刻蝕停止層的該垂直段；

其中所述形成一刻蝕停止層于該疊層結構的一側壁上的步驟包括：

從該疊層結構的側壁方向對這些導電層進行氧化，以沿著該側壁形成多個氧化層，這些氧化層與其鄰近的絕緣層部分彼此相連接形成一第一停止層；

于該疊層結構的該側壁上形成一第二停止層，該第二停止層直接接觸由這些氧化層與其鄰近的絕緣層部分構成的該第一停止層。

6.根據權利要求5所述的半導體結構的制造方法，其中該刻蝕停止層位于該導電結構和該側壁之間。

7.根據權利要求5所述的半導體結構的制造方法，其中，這些導電結構分別電性連接于各個這些導電層。

8.根據權利要求5所述的半導體結構的制造方法，其中，該刻蝕停止層采用的材料包括氧化鋁、氧化鎂、硅鋯氧化物、硅鉿氧化物或上述的組合。