[發明專利]一種具有照相功能的閃存存儲器及制備方法、電子裝置在審
| 申請號: | 201610208297.X | 申請日: | 2016-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN107302005A | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發明(設計)人: | 李玉科 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/1157 | 分類號: | H01L27/1157;G11C16/02;H01L27/144 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所11336 | 代理人: | 高偉,馮永貞 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 照相 功能 閃存 存儲器 制備 方法 電子 裝置 | ||
1.一種具有照相功能的閃存存儲器,其特征在于,所述閃存存儲器包括若干存儲器單元,所述存儲器單元包括:
基底;
柵極疊層,位于所述基底上方,包括依次層疊的隧穿氧化物層、浮柵層、隔離層和控制柵層;
互連結構,位于所述柵極疊層的上方并與所述柵極疊層電連接;
濾光膜,位于互連結構的上方;
棱鏡,設置于所述濾光膜的表面上。
2.根據權利要求1所述的閃存存儲器,其特征在于,在所述互連結構上方、所述濾光膜的下方還形成有鈍化層,所述鈍化層具有平坦的表面。
3.根據權利要求1所述的閃存存儲器,其特征在于,所述濾光膜為紫外線濾光膜。
4.根據權利要求1所述的閃存存儲器,其特征在于,所述互連結構包括交替設置的若干通孔和若干金屬層,所述若干通孔的長和寬的關鍵尺寸小于所述棱鏡的長和寬的關鍵尺寸;所述金屬層的長和寬的關鍵尺寸小于所述棱鏡的長和寬的關鍵尺寸。
5.根據權利要求1所述的閃存存儲器,其特征在于,所述棱鏡呈正方形結構。
6.根據權利要求1所述的閃存存儲器,其特征在于,所述閃存存儲器包括彼此交叉設置的若干行字線和若干列位線,在所述字線和位線的交叉處設置有上述存儲器單元。
7.根據權利要求6所述的閃存存儲器,其特征在于,所述存儲器單元彼此之間的距離相等。
8.一種具有紫外照相功能的閃存存儲器的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基底,在所述基底上形成柵極疊層,其中所述柵極疊層包括依次層疊的隧穿氧化物層、浮柵層、隔離層和控制柵層;
在所述柵極疊層上形成互連結構與所述柵極疊層形成電連接;
在所述互連結構的上方依次形成濾光膜和棱鏡,以形成成像器 件。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,在形成所述棱鏡之前還進一步包括在所述互連結構上方形成鈍化層并且平坦化所述鈍化層的步驟。
10.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述互連結構包括交替設置的若干通孔和若干金屬層,所述若干通孔的長和寬的關鍵尺寸小于所述棱鏡的長和寬的關鍵尺寸;所述金屬層的長和寬的關鍵尺寸小于所述棱鏡的長和寬的關鍵尺寸。
11.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述濾光膜為紫外線濾光膜。
12.一種電子裝置,其特征在于,包括如權利要求1至7之一所述的閃存存儲器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610208297.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體器件及其形成方法
- 下一篇:存儲器結構及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





