[發(fā)明專利]顯示背光用金屬線柵增亮膜及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610206984.8 | 申請日: | 2016-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN105700058A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 崔宏青;查國偉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/30 | 分類號: | G02B5/30 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龍 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 背光 金屬線 柵增亮膜 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及顯示器的技術領域,具體是涉及一種顯示背光用金屬線柵增亮膜及其制備方法。
背景技術
偏光片的使用是TFTLCD顯示的一項核心技術,而傳統(tǒng)吸收型偏振片對于偏振態(tài)的選擇性透過與散射、吸收等使得光的透過率僅有42%左右,背光利用率大大降低。目前常用的方法是在背光與Cell之間添加增亮膜結構,如反射式偏光增亮膜DBEF(Dual-BrightnessEnhanceFilm)、金屬線柵等,其中DBEF是一種反射偏光片,通過選擇性反射背光系統(tǒng)的光,使其不被LCD的下偏光片所吸收,能夠循環(huán)利用偏振光,但是由于現(xiàn)有的DBEF的消光比不高,仍然需要搭配吸收型偏光片使用。而金屬線柵通常采用微電子光刻結合干刻的方法制備,具有很高的消光比,是理想的反射型偏光片,通過與背光反射片相結合能夠獲得很高的增益系數(shù)。但是現(xiàn)有刻蝕工藝的均勻度對于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的良率構成一定的挑戰(zhàn),同時制備流程比較復雜,特別地,刻蝕工藝在制備平面復雜圖形如三棱柱,梯形棱柱等結構方面具有先天的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種顯示背光用金屬線柵增亮膜及其制備方法,以解決現(xiàn)有技術中增亮膜的制備流程復雜以及產(chǎn)品無法滿足背光顯示要求的技術問題。
為解決上述問題,本發(fā)明實施例提供了一種顯示背光用金屬線柵增亮膜的制備方法,所述方法包括:
在基板表面涂覆光刻膠層;
通過納米壓印工藝在所述光刻膠層上形成納米尺寸的光刻膠光柵結構,并進行固化處理;
在所述固化后的光刻膠光柵結構上形成金屬薄膜。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述光刻膠光柵結構的截面為多個間隔設置的矩形,所述金屬薄膜通過傾斜沉積法形成于所述多個矩形的頂面以及同一側(cè)的側(cè)面上。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述光刻膠光柵結構的截面為多個間隔設置的梯形,所述金屬薄膜通過傾斜沉積法形成于所述多個梯形的頂面以及同一側(cè)的側(cè)面上。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述光刻膠光柵結構的截面為多個間隔設置的三角形,所述金屬薄膜通過傾斜沉積法形成于所述多個三角形同一側(cè)的側(cè)面。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述光刻膠光柵結構的截面為多個間隔設置的矩形,所述金屬薄膜形成于所述多個矩形的頂面以及矩形間隔區(qū)域的基板上,其中,位于所述多個矩形的頂面以及矩形間隔區(qū)域基板上的金屬薄膜之間不互聯(lián)。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述光刻膠光柵結構的尺寸周期為40-100nm,光柵寬度為10-50nm,厚度為40-200nm。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述光刻膠光柵結構的尺寸周期為100-300nm,光柵寬度為100-200nm,厚度為100-200nm。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述光刻膠光柵結構的尺寸周期為100-200nm,光柵寬度為60-70nm,厚度為30-50nm。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述基板為柔性基板;所述金屬薄膜的材料為鋁或者銀;所述固化處理為光照或者加熱;所述金屬薄膜的形成方法為蒸鍍或者濺射。
為解決上述技術問題,本發(fā)明還提供一種顯示背光用金屬線柵增亮膜,所述金屬線柵增亮膜通過上述實施例中所述的方法制備而成。
相對于現(xiàn)有技術,本發(fā)明提供的顯示背光用金屬線柵增亮膜及其制備方法,通過卷對卷納米壓印工藝制備納米尺寸的光刻膠光柵結構,然后在固化的光刻膠光柵結構上形成不同截面形狀的金屬薄膜,具有制備流程簡單與節(jié)約材料和成本的優(yōu)點,同時納米壓印的基板選擇適用于制備多種復雜圖形的金屬線柵增亮膜結構,提高工藝的通用性。另外,還可以提高TFT-LCD顯示器件的背光系統(tǒng)光學增益。通過結構優(yōu)化實現(xiàn)了P態(tài)穿透率的提升,同時保持了較高的S態(tài)反射率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是背光增亮結構的示意圖;
圖2是本發(fā)明顯示背光用金屬線柵增亮膜的制備方法一優(yōu)選實施例的流程示意圖;
圖3是三種光柵圖形與壓印模具的形狀示意圖;
圖4是對應圖3中光刻膠圖形形成的金屬薄膜結構示意圖;
圖5是對應圖4中光刻膠圖形及金屬薄膜結構的FDTD模擬Tp、Rs隨波長的變化趨勢曲線圖;
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