[發明專利]蒸鍍掩模的制造方法及有機半導體元件的制造方法有效
| 申請號: | 201610206129.7 | 申請日: | 2013-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN105810850B | 公開(公告)日: | 2017-11-14 |
| 發明(設計)人: | 武田利彥;西村佑行;小幡勝也 | 申請(專利權)人: | 大日本印刷株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;C23C14/04;C23F1/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 劉曉迪 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蒸鍍掩模 制造 方法 有機半導體 元件 | ||
本申請是申請人為大日本印刷株式會社、申請日為2013年01月11日,申請號為201380005299.3、發明名稱為蒸鍍掩模的制造方法及有機半導體元件的制造方法的中國專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及蒸鍍掩模的制造方法及有機半導體元件的制造方法。
背景技術
以往,在有機電致發光元件的制造中,在形成有機電致發光元件的有機層或陰極電極時,例如使用有在應蒸鍍的區域以微小間隔平行地配列多個細微的縫隙而形成的由金屬構成的蒸鍍掩模。在使用該蒸鍍掩模的情況下,在應蒸鍍的基板表面載置蒸鍍掩模,使用磁鐵從背面進行保持,但由于縫隙的剛性極小,故而在將蒸鍍掩模保持于基板表面時,容易在縫隙產生變形,成為高精細化或縫隙長度變大的產品大型化的阻礙。
對于用于防止縫隙的變形的蒸鍍掩模進行了各種檢討,例如在專利文獻1中提出有如下的蒸鍍掩模,其具備:兼具具備多個開口部的第一金屬掩模的底板;在覆蓋所述開口部的區域具備多個細微縫隙的第二金屬掩模;以將第二金屬掩模在縫隙的長度方向上拉伸的狀態使第二金屬掩模位于底板上的掩模拉伸保持裝置。即,提出有將兩種金屬掩模組合的蒸鍍掩模。根據該蒸鍍掩模,在縫隙不會產生變形,能夠確保縫隙精度。
但最近,伴隨著使用有機電致發光元件的產品的大型化或基板尺寸的大型化,對于蒸鍍掩模的大型化的要求越來越高,用于由金屬構成的蒸鍍掩模的制造的金屬板也大型化。但是,在目前的金屬加工技術中,難以在大型金屬板上精度良好地形成縫隙,雖然例如通過上述專利文獻1提出的方法等可防止縫隙部的變形,但也無法應對縫隙的高精細化。另外,在形成為僅由金屬構成的蒸鍍掩模的情況下,伴隨著大型化,其質量也增大,包含框體在內的總質量也增大,故而對處理造成阻礙。
專利文獻1:(日本)特開2003-332057號公報
發明內容
本發明是鑒于上述這樣的狀況而設立的,其主要課題在于提供即使在大型化的情況下也能夠滿足高精細化和輕量化二者的蒸鍍掩模的制造方法、及可精度良好地制造有機半導體元件的有機半導體元件的制造方法。
為了解決上述課題,本發明的蒸鍍掩模的制造方法,為將設有縫隙的金屬掩模、和位于所述金屬掩模的表面且縱橫地配置有多列與要蒸鍍制作的圖案相對應的開口部層積而構成的蒸鍍掩模的制造方法,其中,具備如下的工序:準備在金屬板的一面設有樹脂層的帶樹脂層的金屬板;在所述帶樹脂層的金屬板的金屬板上,通過形成僅貫通該金屬板的縫隙而形成帶樹脂層的金屬掩模;然后,從所述金屬掩模側照射激光,在所述樹脂層上縱橫地形成多列與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部,從而形成樹脂掩模。
在上述方面的蒸鍍掩模的制造方法中,形成所述帶樹脂層的金屬掩模的工序為如下的工序,即,將抗蝕劑材料涂敷在所述帶樹脂層的金屬板的未設有樹脂層的面上,使用形成有縫隙圖案的掩模遮蔽該抗蝕劑材料并進行曝光、顯影,從而形成抗蝕劑圖案,將該抗蝕劑圖案用作耐蝕刻掩模,對金屬板進行蝕刻加工,在蝕刻結束后將所述抗蝕劑圖案洗凈除去。
另外,在上述方面的蒸鍍掩模的制造方法中,也可以不將所述抗蝕劑圖案洗凈除去而直接殘留。
另外,也可以還具備在形成所述帶樹脂層的金屬掩模的工序中得到帶樹脂層的金屬掩模之后,將該帶樹脂層的金屬掩模固定在含有金屬的框體上的工序,在將所述帶樹脂層的金屬掩模固定在框體上之后,進行形成所述樹脂掩模的工序。
另外,為了解決上述課題,本發明的有機半導體元件的制造方法使用由具有上述方面的制造方法制造的蒸鍍掩模。
根據本發明的蒸鍍掩模的制造方法,能夠成品率良好地制造即使在大型化的情況下也能夠滿足高精細化和輕量化二者的蒸鍍掩模。另外,根據本發明的有機半導體元件的制造方法,能夠精度良好地制造有機半導體元件。
附圖說明
圖l(a)~(e)是用于說明本發明的蒸鍍掩模的第一制造方法的工序圖;
圖2(a)~(e)是用于說明本發明的蒸鍍掩模的第二制造方法的工序圖;
圖3(a)是由上述第一制造方法制造的蒸鍍掩模的從金屬掩模側觀察到的正面圖,(b)是由上述第一制造方法制造的蒸鍍掩模100的放大剖面圖;
圖4是由第二制造方法制造的蒸鍍掩模的放大剖面圖;
圖5(a)、(b)是由本發明的制造方法制造的蒸鍍掩模的從金屬掩模側觀察到的正面圖;
圖6(a)~(c)是表示陰影和金屬掩模的厚度的關系的概略剖面圖;
圖7(a)~(d)是表示金屬掩模的縫隙和樹脂掩模的開口部的關系的部分概略剖面圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





