[發明專利]減少外延襯底缺陷的形成方法

有效

• 申請號: 201610205601.5
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN107293475B
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 肖德元
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 金華

1.一種減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供原始外延襯底；

對所述原始外延襯底進行沉浸式缺陷去除處理；

對所述原始外延襯底進行拋光處理；

檢測所述原始外延襯底表面形貌，并保存形貌數據；

對所述形貌數據進行分析，獲得所述原始外延襯底不同區域的待刻蝕量，并通過所述待刻蝕量確定不同區域所需的工藝參數，所述工藝參數包括工藝溫度和工藝時間，所述原始外延襯底不同區域的工藝溫度采用吸盤分區控制電阻加熱法進行調節，所述吸盤包括多個矩陣排列的微型加熱單元；

根據不同區域的所需工藝參數進行原始外延襯底不同區域的刻蝕，使所述原始外延襯底表面更加平滑；

對所述原始外延襯底進行單面拋光，獲得最終的外延襯底。

2.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，采用單片旋轉噴射濕法對原始外延襯底不同區域進行刻蝕。

3.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，所述微型加熱單元為珀爾帖效應裝置或電阻加熱裝置。

4.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，所述微型加熱單元為聚酰亞胺加熱器、硅橡膠加熱器、云母加熱器、金屬加熱器、陶瓷加熱器、半導體加熱器或碳加熱器的一種或多種。

5.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，所述微型加熱單元采用線繞式、化成箔式或印壓式形成。

6.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，單個所述微型加熱單元的功率范圍為0～20W。

7.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，所述工藝時間通過單片旋轉進行控制。

8.如權利要求7所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，所述單片旋轉噴射濕法通過噴嘴進行腐蝕溶液的噴涂。

9.如權利要求8所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，所述腐蝕溶液包括氫氟酸、硝酸、磷酸及水，其中，HF:HNO₃:H₃PO₄:H₂O質量比為7％：30％：35％：38％。

10.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，所述沉浸式缺陷去除處理采用的腐蝕溶液包括氫氟酸、硝酸、磷酸及水，其中，HF:HNO₃:H₃PO₄:H₂O質量比為7％：30％：35％：38％。

11.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，所述原始外延襯底的形成步驟包括：

提供單晶硅錠；

對所述單晶硅錠進行磨削滾圓處理；

在所述單晶硅錠上形成定位邊或定位V槽；

對所述單晶硅錠進行切片、倒角處理；

分別進行雙面研磨和單面研磨，獲得所述原始外延襯底。

12.如權利要求1所述的減少外延襯底缺陷的形成方法，其特征在于，最終形成的外延襯底表面形貌差異小于25nm。