[發明專利]一種磁傳感器

在審

• 申請號: 201610203297.0
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN107290695A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 郭慧民;樓書作;陳曉明;蔡光杰;王俊輝;霍曉
• 申請（專利權）人: 德昌電機（深圳）有限公司
• 主分類號: G01R33/07
• 分類號: G01R33/07;G01R33/00
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發明涉及半導體元件技術領域，更具體的說，是涉及一種磁傳感器。

背景技術

霍爾元件是應用霍爾效應的半導體，即為磁場傳感器，其一般用于電機中測定轉子轉速，其作用是檢測磁極的位置，且由于霍爾測出的結果只是磁場脈沖。其在磁場力作用下，在金屬或通電半導體中將產生霍爾效應，其輸出電壓與磁場強度成正比，霍爾效應是指磁場作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時，產生橫向電位差的物理現象，其本質是：固體材料中的載流子在外加磁場中運動時，因為受到洛侖茲力的作用而使軌跡發生偏移，并在材料兩側產生電荷積累，形成垂直于電流方向的電場，最終使載流子受到的洛侖茲力與電場斥力相平衡，從而在兩側建立起一個穩定的電勢差，即：霍爾電壓。

目前在電機上的磁傳感器只包括一個，單個磁傳感器元件的角間距是固定的，由于單個不對稱的磁傳感器的制程偏差，如雜濃度的差異和光刻差異，而導致其電阻不對稱，影響其磁場檢測電流，導致霍爾元件磁感測元件感測磁場強度不準確。

發明內容

本發明提供了一種磁傳感器，通過對稱設置的至少二磁感測元件，消除由于制程偏差引起的單個磁傳感器元件的電阻不對稱。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種磁傳感器，其特征在于，包括至少二磁感測元件，所述至少二磁感測元件構成至少一個流通電流方向相反且對稱設置的磁感測元件對。

優選的，所述每一磁感測元件包括四個接觸端子，其中，對于每一個所述磁感測元件，所述磁感測元件的每個接觸端子都與對應的接觸端子總線連接，構成總線接觸端子。

優選的，所述每一磁感測元件呈十字形，所述四個接觸端子分別設置在所述磁感測元件的四個端點。

優選的，所述每一磁感測元件的接觸端子與對應所述接觸端子總線通過相同距離的連接線相連。

優選的，所述一對磁感測元件中的所述磁感測元件具有彼此相同的幾何形狀。

優選的，所述不同對磁感測元件對具有不同的幾何形狀。

優選的，所述多個磁感測元件對的幾何布置為正方形、菱形或圓形。

優選的，所述磁傳感器包括四個磁感測元件，所述四個磁感測元件分別設置在正方形半導體基板的四個對角位置，且位于正方形對角位置的磁感測元件分別構成一磁感測元件對。

優選的，所述一對角設置的二磁感測元件呈同一角度傾斜設置。

優選的，所述多個磁感測元件對的幾何布置為以所述磁感測元件的中心點位于同一個圓上的設置。

經由上述的技術方案可知，與現有技術相比，本發明公開了一種磁傳感器，包括多個磁感測元件，所述多個磁感測元件構成至少一流通電流方向相反且對稱設置的磁感測元件對。本發明提供的磁傳感器，通過多個磁感測元件對中的磁感測元件的流通電流方向相反的對稱設置，消除由于制程偏差引起的單個磁傳感器元件的電阻不對稱，使得磁感測元件感測磁場強度更加準確。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明中提到的磁感測元件的結構示意圖；

圖2為本發明公開的一種磁傳感器的實施例結構示意圖；

圖3為本發明公開的磁傳感器的另一實施例結構示意圖；

圖4至圖6為本發明公開的磁傳感器另一替代實施例的幾何布置示意圖；

圖7至圖8為本發明公開的磁傳感器另一替代實施例的幾何布置示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

具體的，請參閱附圖1，圖1為本發明中提到的磁感測元件的結構示意圖，如圖1所示，磁感測元件設置有四個接觸端子N、S、W、E，磁感測元件的電流方向是接觸端子W指向接觸端子E。在其他實施例中，所述磁感測元件的電流方向可以是由接觸端子E流向接觸端子W或由接觸端子N流向接觸端子S或由接觸端子S流向接觸端子N。