[發(fā)明專利]TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610202895.6
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN105633101A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉政
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪洋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，并且具體地，涉及能 夠提高顯示面板的分辨率的TFT陣列基板及其制造方法、包括該TFT 陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶體管)陣列基板廣泛地應(yīng)用于 顯示器的顯示面板中，特別是低溫多晶硅陣列基板擁有高遷移率的優(yōu) 點(diǎn)，并且反應(yīng)速度快，是近年來逐漸被看好的一種用在顯示面板中的 陣列基板，在高分辨率、高畫質(zhì)的有機(jī)電致發(fā)光顯示和液晶顯示面板 上被越來越多地采用。在高分辨率的顯示面板中，需要多個(gè)很小尺寸 的薄膜晶體管，對薄膜晶體管陣列基板的工藝實(shí)現(xiàn)、電學(xué)性能、可靠 性的要求更高。特別是現(xiàn)有的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板應(yīng)用于 有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示技術(shù)中時(shí)，其驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管一般需要較長 的溝道，從而會(huì)占用較大的基板面積，對高分辨的設(shè)計(jì)是一個(gè)限制。

圖1為現(xiàn)有的一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意 圖，包含基板1、有源層2、柵極絕緣層3、柵極層4、中間絕緣層5、 穿透中間絕緣層及柵極絕緣層的過孔、源和漏電極層6和7、平坦化 層8和像素電極層9。實(shí)現(xiàn)這種現(xiàn)有的陣列基板至少需要用于形成有 源層、柵極層、過孔、源和漏電極層、平坦化層和像素電極層的六道 掩膜版。在高分辨率的陣列基板制備過程中，溝道長度是一個(gè)關(guān)鍵因 素，特別是對有機(jī)電致發(fā)光二極管顯示器件中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管來說， 其溝道長度2L可達(dá)幾十微米，將占用較大的面積，不利于高分辨的 實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述和其它問題和缺陷中的至少一種， 提出了本發(fā)明。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提出了一種TFT陣列基板，包括：襯 底基板；和位于襯底基板上的兩個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管包 括具有源區(qū)和漏區(qū)的有源層，這兩個(gè)薄膜晶體管的兩個(gè)有源層在垂 直于襯底基板的方向上相互疊置，且這兩個(gè)有源層中的一個(gè)有源層 的漏區(qū)與另一個(gè)有源層的源區(qū)電連接，使得這兩個(gè)薄膜晶體管串聯(lián) 連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述兩個(gè)有源層可以包括形成在襯底基板上 的第一有源層和位于第一有源層上方的第二有源層，所述兩個(gè)薄膜 晶體管還可以包括至少位于第一有源層和第二有源層之間的覆蓋 在第一有源層上的第一柵極絕緣層、覆蓋在第一柵極絕緣層上的第 二柵極絕緣層、和一個(gè)柵極，該柵極位于第一柵極絕緣層和第二柵 極絕緣層之間以用作這兩個(gè)薄膜晶體管的公共柵極，且第二有源層 設(shè)置在第二柵極絕緣層上。

在一個(gè)實(shí)施例中，該TFT陣列基板設(shè)置有貫穿第一柵極絕緣層 和第二柵極絕緣層以露出第一有源層的漏區(qū)的通孔，并且第二有源 層可以包括位于該通孔內(nèi)以電連接第一有源層的漏區(qū)和第二有源 層的源區(qū)的連接部分。

在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)薄膜晶體管可以包括位于襯底基板上的 第一柵極、覆蓋在第一柵極上的第一柵極絕緣層和位于第一柵極絕 緣層上的第一有源層，另一個(gè)薄膜晶體管可以包括位于第一有源層 上方的第二有源層、覆蓋第二有源層的第二柵極絕緣層和位于第二 柵極絕緣層上的第二柵極，并且第二有源層的源區(qū)可以與第一有源 層的漏區(qū)電連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，上述TFT陣列基板還可以包括覆蓋在所述一 個(gè)薄膜晶體管上的層間絕緣層，其中第二有源層位于層間絕緣層上。

在一個(gè)實(shí)施例中，上述TFT陣列基板設(shè)置有貫穿層間絕緣層以 露出第一有源層的漏區(qū)的通孔，并且第二有源層可以包括位于該通 孔內(nèi)以電連接第一有源層的漏區(qū)和第二有源層的源區(qū)的連接部分。

在一個(gè)實(shí)施例中，上述TFT陣列基板還可以包括與第一有源層 的源區(qū)電連接的源電極層和與第二有源層的漏區(qū)電連接的像素電 極層。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述連接部分可以包括由與第二有源層相同 的材料形成并摻雜的部分。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述有源層可以包括低溫多晶硅層。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種制造TFT陣列基板的方 法，包括下述步驟：

提供襯底基板；以及

在襯底基板上形成兩個(gè)薄膜晶體管，使得這兩個(gè)薄膜晶體管的 兩個(gè)有源層在垂直于襯底基板的方向上相互疊置，每個(gè)薄膜晶體管 包括具有源區(qū)和漏區(qū)的有源層，且這兩個(gè)有源層中的一個(gè)的漏區(qū)與 另一個(gè)的源區(qū)電連接，由此串聯(lián)連接這兩個(gè)薄膜晶體管。

在一個(gè)實(shí)施例中，形成薄膜晶體管的步驟可以包括：