[發(fā)明專利]一種適用于硅光調(diào)制器的高速率高擺幅的驅(qū)動(dòng)器電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610200288.6 | 申請日： | 2016-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN105656473B | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱文銳;張德華;趙磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/094 | 分類號： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 適用于 調(diào)制器 速率 高擺幅 驅(qū)動(dòng)器 電路 | ||
1.一種適用于硅光調(diào)制器的高速率高擺幅的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器電路分別與驅(qū)動(dòng)器前級電路、調(diào)制器負(fù)載連接，所述驅(qū)動(dòng)器電路包括至少一條輸出電路，所述輸出電路包括：第一反相器、第一電壓偏置模塊、第二反相器、第二電壓偏置模塊以及電感；其中：
所述第一反相器的輸入端與所述驅(qū)動(dòng)器前級電路的輸出端連接；
所述第一反相器的輸出端與所述第一電壓偏置模塊的輸入端連接；
所述第一電壓偏置模塊的輸出端與所述第二反相器的輸入端連接；
所述第二反相器的輸出端與所述第二電壓偏置模塊的輸入端連接；
所述第二電壓偏置模塊的輸出端與所述電感的輸入端連接；
所述電感的輸出端與所述調(diào)制器負(fù)載的輸入端連接，所述電感與所述調(diào)制器負(fù)載形成LC帶寬擴(kuò)展電路，以進(jìn)行帶寬擴(kuò)展；
所述第一反相器包括核心P型金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管PMOS以及核心N型金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管NMOS；
所述第二反相器包括輸入/輸出P型金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管I/OPMOS以及輸入/輸出N型金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管I/ONMOS。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，
所述核心PMOS的柵極分別與所述驅(qū)動(dòng)器前級電路輸出端以及所述核心NMOS的柵極連接；
所述核心PMOS的漏極分別與所述核心NMOS的漏極以及所述第一電壓偏置模塊的輸入端連接；
所述核心PMOS的源級連接第一電源；
所述核心NMOS的柵極與所述驅(qū)動(dòng)器前級電路的輸出端連接；
所述核心NMOS的漏極與所述第一電壓偏置模塊的輸入端連接；
所述核心NMOS的源極接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述第一電壓偏置模塊包括第一電容以及第一電阻；其中：
所述第一電容的第一端分別與所述核心PMOS的漏極以及所述核心NMOS的漏極連接；
所述第一電容的第二端分別與所述第一電阻的第一端以及所述第二反相器的輸入端連接，所述第一電阻的第二端與第一偏置電壓連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，
所述I/OPMOS的柵極分別與所述第一電容的第二端、所述第一電阻的第一端以及所述I/ONMOS的柵極連接；
所述I/OPMOS的漏極分別與所述第二電壓偏置模塊的輸入端以及所述I/ONMOS的漏極連接；
所述I/OPMOS的源級接第二電源；
所述I/ONMOS的柵極分別與所述第一電容的第二端以及所述第一電阻的第一端連接；
所述I/ONMOS的漏極與所述第二電壓偏置模塊的輸入端連接，所述I/ONMOS的源極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述第二電壓偏置模塊包括第二電容以及第二電阻；其中：
所述第二電容的第一端分別與所述I/OPMOS的漏極以及所述I/ONMOS的漏極連接；
所述第二電容的第二端分別與所述第二電阻的第一端以及所述電感的輸入端連接；
所述第二電阻的第二端與第二偏置電壓連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1- 5中任意一項(xiàng)所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述第一反相器用于緩沖驅(qū)動(dòng)器前級電路的輸出信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述第一電壓偏置模塊用于調(diào)整所述第一反相器放大處理后的放大信號的偏置電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述第二反相器用于放大所述第一電壓偏置模塊偏置處理后的信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述第二電壓偏置模塊用于調(diào)整第二反相器輸出的緩沖處理后的緩沖信號的偏置電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述第一電源的工作電壓值低于所述第二電源的工作電壓值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于，所述電感包括嵌入在芯片內(nèi)部的電感和封裝產(chǎn)生的寄生電感中的至少一種。
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