[發明專利]低壓超結MOSFET終端結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610196091.X
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105655402B
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 劉挺;楊樂;岳玲;徐西昌
• 申請（專利權）人: 西安龍騰新能源科技發展有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 61114 西安新思維專利商標事務所有限公司
• 代理人: 李罡<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種低壓超結MOSFET終端結構的制造方法，其特征在于，該方法通過以下步驟實現：

步驟一：提供 n 型重摻雜的 n+ 襯底，并在n+襯底上形成n型外延層；

步驟二：在n型外延上通過光刻、干法腐蝕形成深溝槽，所述深溝槽包括有源區深溝槽與終端區深溝槽，所述終端區深溝槽包圍有源區深溝槽；

終端區深溝槽至少包含兩條，至少一條靠近有源區深溝槽，為隔離環，至少一條靠近劃片槽，為截止環；隔離環內沉積的多晶硅層與源極表面金屬短接為零電位，截止環浮空；

步驟三：通過濕法熱氧化工藝在所述深溝槽底部和側壁生長場氧化層；

步驟四：通過多晶硅淀積工藝進行第一次多晶硅淀積；

步驟五：通過干法腐蝕工藝進行多晶硅回刻，刻蝕至多晶硅與外延層上表面齊平；

步驟六：通過干法加濕法腐蝕工藝去除表面場氧化層；

步驟七：通過光刻、多晶硅刻蝕及濕法腐蝕工藝對有源區深溝槽內的第一多晶硅及場氧化層先后進行回刻，使所述有源區深溝槽上方得到兩個互相連接的淺溝槽，所述終端區深溝槽內的第一多晶硅及場氧化層在光刻膠的保護下不回刻；

步驟八：經過干法熱氧化工藝生長柵氧化層，形成MOSFET器件柵氧；

步驟九：第二次多晶硅淀積；

步驟十：第二次多晶硅干法回刻，形成淺槽MOSFET器件柵極；

步驟十一：P-BODY注入，形成P阱；

步驟十二：在有源區深溝槽外側N+注入，形成器件源極；

步驟十三：介質層淀積，接觸孔光刻及孔腐蝕；

步驟十四：完成接觸孔鎢填充，和表面金屬工藝形成器件正面結構；

步驟十五：最后完成背面金屬工藝，形成器件漏端，完成低壓超結MOSFET終端結構；

所述步驟六具體為：

步驟一：場氧化層腐蝕工藝采用氧化層干法腐蝕工藝與濕法腐蝕工藝共同完成，先干法腐蝕剩余1000±200?厚度的氧化層，然后采用濕法腐蝕將剩余氧化層全部剝除；

步驟二：場氧化層腐蝕完成后氧化層向深溝槽內凹陷不大于500?。