[發明專利]太陽能電池柵線電極圖形的壓印加工方法有效
| 申請號: | 201610189088.5 | 申請日: | 2016-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN105742380B | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發明(設計)人: | 朱學林;季益群 | 申請(專利權)人: | 江蘇歐達豐新能源科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 電極 圖形 壓印 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,特別涉及一種太陽能電池柵線電極圖形的壓印加工方法。
背景技術
目前硅太陽能電池片的正面柵線電極加工方法是采用絲網印刷形成銀漿電極圖形,并經過燒結固化。傳統的絲網印刷的最小圖形最小線寬和最小厚度收到網目的限制,無法實現“更淺、更密”的柵線電極圖形加工,因此造成銀漿材料消耗量大,以及電極導電性能有限。
發明內容
為了克服上述缺陷,本發明提供了一種精細圖形結構的轉移太陽能電池柵線電極圖形的壓印加工方法。
本發明為了解決其技術問題所采用的技術方案是:一種太陽能電池柵線電極圖形的壓印加工方法,包括以下步驟:
1)干膜鋪設:在太陽能電池表面鋪設干膜,采用滾壓工藝,干膜材料為熱塑性感光或水溶性薄膜材料,如光刻膠、PVA等,薄膜厚度20~80微米,滾壓時的溫度范圍60~120攝氏度,壓力10KPa~200kPa,滾壓時硅片相對進給速度:5~600毫米/秒;
2)滾輪壓印電極圖形:采用滾輪壓印時的溫度范圍60~120攝氏度,壓力0.5MPa~10MPa,滾壓時硅片相對進給速度:5~600毫米/秒;
3)等離子體去除殘留層:頻率選用微波段,或者射頻段,氣體采用氧氣O2或者四氟化碳CF4,氣體流量5~200sccm,功率20~300W;
4)滾輪壓印銀漿:采用滾輪壓印時的壓力0.5MPa~10MPa,滾壓時硅片相對進給速度:5~600毫米/秒。
5)溶解去除干膜。
作為本發明的進一步改進,所述步驟2)中的滾輪表面設有微凸起結構。
本發明的有益效果是:本發明利用滾輪納米壓印技術,突破絲網印刷技術的線寬和厚度限制,獲得更細、更薄的正面電極柵線,納米壓印出來的凹槽圖形結構可以填充銀漿,并燒結成形。
具體實施方式
為了加深對本發明的理解,下面將結合實施例對本發明作進一步詳述,該實施例僅用于解釋本發明,并不構成對本發明保護范圍的限定。
一種太陽能電池柵線電極圖形的壓印加工方法,包括以下步驟:
1)干膜鋪設:在太陽能電池表面鋪設干膜,采用滾壓工藝,干膜材料為熱塑性感光或水溶性薄膜材料,如光刻膠、PVA等,薄膜厚度20~80微米,滾壓時的溫度范圍60~120攝氏度,壓力10KPa~200kPa,滾壓時硅片相對進給速度:5~600毫米/秒;
2)滾輪壓印電極圖形:采用滾輪壓印時的溫度范圍60~120攝氏度,壓力0.5MPa~10MPa,滾壓時硅片相對進給速度:5~600毫米/秒;
3)等離子體去除殘留層:頻率選用微波段(如2.4GHz),或者射頻段(如13.56MHz),氣體采用氧氣O2或者四氟化碳CF4,氣體流量5~200sccm,功率20~300W;
4)滾輪壓印銀漿:采用滾輪壓印時的壓力0.5MPa~10MPa,滾壓時硅片相對進給速度:5~600毫米/秒。
5)溶解去除干膜。
所述步驟2)中的滾輪表面設有微凸起結構,轉移到電池片表面干膜上,形成柵線電極圖形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





