[發明專利]量子點發光器件及其制備方法及液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201610179472.7
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號: CN105655495B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 徐超
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;G02F1/13357
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發明提供一種量子點發光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。量子點發光器件包括基板及設置在基板同側的陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極，陽極與陰極相對且間隔設置，空穴傳輸層、發光層及電子傳輸層夾設在陽極與陰極之間，且空穴傳輸層的一面與陽極相連，發光層及電子傳輸層依次層疊設置在空穴傳輸層遠離陽極的一面，且電子傳輸層遠離發光層的一面與陰極相連，陽極用于提供空穴，空穴傳輸層用于將空穴傳輸至發光層，陰極用于提供電子，電子傳輸層用于將電子傳輸至發光層，空穴和電子在發光層中復合以發光，其中，發光層包括量子點發光材料及有機小分子發光材料，有機小分子發光材料填充量子點發光材料之間的間隙。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種量子點發光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。

背景技術

量子點發光器件，比如，量子點發光二極管(Quantum dot Light EmittingDiode，QLED)因具有色域廣、色純度高、穩定性好、低功耗、低成本等優點被譽為新一代照明器件。由于量子點發光器件的量子點膜厚較薄和量子點材料的團聚效應，量子點發光層中的量子點發光材料之間存在較大的空隙，從而導致量子點發光器件的漏電流較大，進而導致量子點發光器件的性能較差。

發明內容

本發明提供一種量子點發光器件，所述量子點發光器件包括基板、陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極，所述陽極、所述空穴傳輸層、所述發光層、所述電子傳輸層及所述陰極設置在所述基板的同側，所述陽極與所述陰極相對且間隔設置，所述空穴傳輸層、所述發光層及所述電子傳輸層夾設在所述陽極與所述陰極之間，且所述空穴傳輸層的一面與所述陽極相連，所述發光層及所述電子傳輸層依次層疊設置在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的一面，且所述電子傳輸層遠離所述發光層的一面與所述陰極相連，所述陽極用于提供空穴，所述空穴傳輸層用于將所述空穴傳輸至所述發光層，所述陰極用于提供電子，所述電子傳輸層用于將所述電子傳輸至所述發光層，所述空穴和所述電子在所述發光層中復合以發光，其中，所述發光層包括量子點發光材料及有機小分子發光材料，所述有機小分子發光材料填充所述量子點發光材料之間的間隙。

其中，所述陽極遠離所述空穴傳輸層的一面設置在所述基板上，所述陽極為透明電極，所述陰極為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發光層中復合發出的光線自所述基板遠離所述陽極的表面出射。

其中，所述陽極包括ITO，所述陰極包括Al。

其中，所述陰極的厚度為100～150nm。

其中，所述陰極遠離所述電子傳輸層的一面設置在所述基板上，所述陰極為透明電極，所述陽極為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發光層中復合發出的光線自所述基板遠離所述陰極的表面出射。

其中，所述發光層包括層疊設置的第一子發光層及第二子發光層，所述第一子發光層的一面與在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的一面接觸，所述第二子發光層的一面與所述電子傳輸層遠離所述陰極的一面接觸，所述第一子發光層包括量子點發光材料及有機小分子發光材料，所述第二子發光層包括有機小分子發光材料。

其中，所述空穴傳輸層包括PEDOT：PSS或者P型金屬氧化物納米粒子，其中，所述P型金屬氧化物納米粒子包括MoO3、NiO、V2O5及WoO3的任意一種或者多種。

其中，所述空穴傳輸層的厚度為40nm。

本發明還提供了一種量子點發光器件的制備方法，所述量子點發光器件的制備方法包括：

提供基板，在所述基板的表面形成陽極；

在所述陽極遠離所述基板的表面涂布空穴傳輸材料以形成空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的表面沉積量子點發光材料；