[發明專利]TFT及制作方法、陣列基板、顯示面板及驅動方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610177105.3
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號: CN105573000B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 張斌;董殿正;張衎;陳鵬名
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜晶體管TFT，其特征在于，包括襯底基板，在襯底基板上依次層疊設有第一柵極、底層柵極介電層和絕緣層，在所述絕緣層上設有源極和漏極，在所述源極、所述漏極和所述絕緣層上依次層疊設有頂層柵極介電層、第二柵極和鈍化層；所述第一柵極或所述第二柵極為光敏材料柵極。

2.根據權利要求1所述的TFT，其特征在于，所述絕緣層為非晶硅層。

3.根據權利要求1所述的TFT，其特征在于，所述鈍化層為凸面透明材料層。

4.一種薄膜晶體管TFT的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成第一柵極層，通過構圖工藝在所述第一柵極層形成包括第一柵極的圖形；

在所述襯底基板和所述第一柵極上依次形成底層柵極介電層和絕緣層；

在所述絕緣層上形成源/漏極層，通過構圖工藝在所述源/漏極層形成包括源極和漏極的圖形；

在所述絕緣層、所述源極和所述漏極上形成頂層柵極介電層；

在所述頂層柵極介電層上形成第二柵極層，通過構圖工藝在所述第二柵極層形成包括第二柵極的圖形，其中，所述第一柵極層或所述第二柵極層為光敏材料層；

在所述頂層柵極介電層和所述第二柵極上形成鈍化層。

5.根據權利要求4所述的TFT的制作方法，其特征在于，所述絕緣層為非晶硅層。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-3中任意一項所述的薄膜晶體管TFT。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-3中任意一項所述的薄膜晶體管TFT。

8.根據權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板中的TFT均為權利要求1-3中任意一項所述的薄膜晶體管TFT，所述TFT用于根據光敏材料柵極接收到的環境光的光照強度和非光敏材料柵極接收到的第一輸出信號，調整通過所述TFT的電流信號。

9.根據權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括顯示區和測試區；所述測試區包括權利要求1-3中任意一項所述的TFT和與所述TFT連接的電壓控制模塊；其中，

所述TFT用于根據接收到的環境光的光照強度和所述電壓控制模塊的第二輸出信號，調整通過所述TFT的電流信號；

所述電壓控制模塊用于根據通過所述TFT的電流信號，調整所述電壓控制模塊的第二輸出信號。

10.根據權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述電壓控制模塊包括電流/電壓轉換單元、處理單元和電源管理單元；其中，

所述電流/電壓轉換單元與所述TFT連接，用于將通過所述TFT的電流信號轉化為電壓信號；

所述處理單元與所述電流/電壓單元連接，用于根據所述電流/電壓轉換模塊轉化輸出的電壓信號，輸出調整信號，所述調整信號用于控制所述電源管理單元調整向所述TFT輸出的第二輸出信號；

所述電源管理單元分別與所述處理單元和所述TFT連接，用于根據所述處理單元輸出的所述調整信號，調整向所述TFT輸出的第二輸出信號。

11.根據權利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT的所述第一柵極為光敏材料柵極，所述第二柵極與所述電源管理單元連接，所述TFT的第一極與數據信號端連接，所述TFT的第二級與所述電流/電壓轉換單元連接；所述第一極和第二極中一個為源極，另一個為漏極；

或者，所述TFT的所述第二柵極為光敏材料柵極，所述第一柵極與所述電源管理單元連接，所述TFT的第一極與數據信號端連接，所述TFT的第二級與所述電流/電壓轉換單元連接；所述第一極和第二極中一個為源極，另一個為漏極。