[發明專利]發光材料[Cd(tibc)2]n及合成方法有效
| 申請號: | 201610171264.2 | 申請日: | 2016-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN105801504B | 公開(公告)日: | 2018-01-12 |
| 發明(設計)人: | 張淑華;張海洋;肖瑜 | 申請(專利權)人: | 桂林理工大學 |
| 主分類號: | C07D249/14 | 分類號: | C07D249/14;C09K11/06 |
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| 地址: | 541004 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 材料 cd tibc sub 合成 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種穩定的發光材料[Cd(tibc)2]n,(Htibc為3,5-二溴水楊醛縮4-氨基-1,2,4三氮唑希夫堿)及合成方法。
背景技術
現代發光材料歷經數十年的發展,己成為信息顯示、照明光源、光電器件等領域的支撐材料,為社會發展和技術進步發揮著日益重要的作用。特別是能源緊缺的現在,開發轉化效率高的發光材料是解決能源緊缺問題方法之一。
發明內容
本發明的目的就是為設計合成發光性質優異的功能材料,利用微瓶反應方法合成[Cd(tibc)2]n。
本發明涉及的[Cd(tibc)2]n的分子式為:C18H10CdBr4N8O2,分子量為:802.01, Htibc為3,5-二溴水楊醛縮4-氨基-1,2,4三氮唑希夫堿,晶體結構數據見表一,鍵長鍵角數據見表二。
表一:[Cd(tibc)2]n的晶體學參數
aR1=Σ||Fo|–|Fc||/Σ|Fo|.bwR2=[Σw(|Fo2|–|Fc2|)2/Σw(|Fo2|)2]1/2
表二:[Cd(tibc)2]n的鍵長和鍵角°
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