[發明專利]半導體受光元件

有效

• 申請號: 201610169108.2
• 申請日: 2016-03-23
• 公開（公告）號: CN105990464B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 竹村亮太;中路雅晴;山路和樹
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張天舒

1.一種半導體受光元件，其特征在于，具有：

襯底；

在所述襯底之上依次層疊的p型導電層、光吸收層、倍增層以及n型窗層，該光吸收層具有比入射光小的帶隙，該倍增層進行雪崩倍增；

n型導電層，其形成在所述n型窗層的一部分區域之上；以及

第一p型導電區域，其形成在所述n型窗層之中未與所述n型導電層接觸的區域，未到達至所述倍增層，未與能夠從外部供電的電極接觸，

所述n型導電層與所述n型窗層接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體受光元件，其特征在于，

還具有n型電場緩和層，該n型電場緩和層形成在所述倍增層與所述n型窗層之間，

所述第一p型導電區域未到達至所述n型電場緩和層。

3.根據權利要求1或2所述的半導體受光元件，其特征在于，

還具有第二p型導電區域，該第二p型導電區域在所述第一p型導電區域的外側形成于所述n型窗層，未到達至所述倍增層，未與能夠從外部供電的電極接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體受光元件，其特征在于，

所述第一及第二p型導電區域相連。

5.根據權利要求1或2所述的半導體受光元件，其特征在于，

所述第一p型導電區域形成為到達所述n型窗層的外端。