[發明專利]獨立磁盤冗余陣列的重建性能的評估方法和設備有效
| 申請號: | 201610151489.1 | 申請日: | 2016-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN107203442B | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發明(設計)人: | 高健;高宏坡;韓耕;董繼炳;徐鑫磊 | 申請(專利權)人: | 伊姆西IP控股有限責任公司 |
| 主分類號: | G06F11/20 | 分類號: | G06F11/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 獨立 磁盤 冗余 陣列 重建 性能 評估 方法 設備 | ||
1.一種由計算機實現的方法,包括:
利用第一獨立磁盤冗余陣列(RAID)組來模擬第二獨立磁盤冗余陣列組的重建過程,其中所述第一獨立磁盤冗余陣列組和所述第二獨立磁盤冗余陣列組各自分別包括多個子RAID組;
獲取經模擬的所述重建過程的多個性能指標中的第一性能指標,其中在經模擬的所述重建過程期間,預讀取操作針對相應獨立磁盤冗余陣列組和所述多個子RAID組中的相應子RAID組中的至少一項;以及
基于所述第一性能指標,標識與所述第二獨立磁盤冗余陣列組的重建性能相關的因素。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一獨立磁盤冗余陣列組包括傳統獨立磁盤冗余陣列組,并且所述第二獨立磁盤冗余陣列組包括映射獨立磁盤冗余陣列組。
3.根據權利要求1所述的方法,其中利用第一獨立磁盤冗余陣列來模擬所述第二獨立磁盤冗余陣列的重建過程包括:
禁用所述第一獨立磁盤冗余陣列組中的一個磁盤,并且禁用所述第一獨立磁盤冗余陣列組的重建;
經由輸入輸出生成器并發地向禁用的所述磁盤發起讀請求,使得讀IO負載與所模擬的映射獨立磁盤冗余陣列相同;以及
響應于接收到所請求的數據,經由所述輸入輸出生成器并發地向預備磁盤寫入所請求的數據,使得寫IO負載與所模擬的所述映射獨立磁盤冗余陣列相同。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述輸入輸出生成器包括公共輸入輸出生成器和私有輸入輸出生成器的其中一種。
5.根據權利要求3所述的方法,其中所述輸入輸出生成器用于向以下的至少一項發起讀請求和寫請求中的至少一種請求:卷、邏輯單元號、獨立磁盤冗余陣列組、以及磁盤。
6.根據權利要求1所述的方法,其中利用第一獨立磁盤冗余陣列來模擬所述第二獨立磁盤冗余陣列的重建過程包括:
禁用一個或多個第一獨立磁盤冗余陣列組中的一個或多個磁盤,并且禁用所述一個或多個第一獨立磁盤冗余陣列組的重建;
經由多個輸入輸出生成器向禁用的所述一個或多個磁盤并行地發起多個讀請求;以及
響應于接收到所請求的多個數據,經由所述多個輸入輸出生成器向一個或多個預備磁盤并行地寫入所請求的多個數據。
7.根據權利要求6所述的方法,還包括:
通過改變以下的至少一項來重新模擬所述第二獨立磁盤冗余陣列組的重建過程:所述多個輸入輸出生成器的數目、以及所述一個或多個預備磁盤的數目。
8.根據權利要求1所述的方法,其中獲取經模擬的所述重建過程的第一性能指標包括:
獲取經模擬的所述重建過程的以下性能指標中的至少一項:重建速率、中央處理單元占用率、以及所占用的內存大小。
9.根據權利要求7所述的方法,其中獲取經模擬的所述重建過程的第一性能指標包括:
獲取經重新模擬的所述重建過程的第二性能指標。
10.根據權利要求9所述的方法,其中標識與所述第二獨立磁盤冗余陣列組的重建性能相關的因素包括:
通過比較所述第一性能指標和所述第二性能指標,標識與所述第二獨立磁盤冗余陣列組的所述重建性能相關的所述因素。
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