[發明專利]一種去除太陽能鍺單晶片拋光殘留藥劑的方法

有效

• 申請號: 201610151254.2
• 申請日: 2016-03-16
• 公開（公告）號: CN105710066B
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 柯尊斌;張海華;魏海龍;孫小華;席珍強
• 申請（專利權）人: 中鍺科技有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10;C11D7/26
• 代理公司: 南京先科專利代理事務所(普通合伙)32285
• 代理人: 繆友菊

1.一種去除太陽能鍺單晶片拋光殘留藥劑的方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)清洗劑準備：將草酸溶于去離子水中，配制成濃度為0.05～0.15mol/L的草酸清洗劑，并向帶有藥液循環系統的清洗槽中加入10～20L上述清洗劑，清洗劑保持循環；

(2)初步清洗：將拋光作業完成后的拋光盤取下，并對拋光盤內的鍺晶片拋光面用去離子水沖洗，后用真空吸筆將鍺晶片從拋光盤取出，并依次插入周轉盒，并保證拋光面朝同一方向；

(3)清洗劑清洗：將裝入鍺晶片的周轉盒浸入步驟(1)備好的清洗槽內的清洗劑中，并沿鍺晶片表面的平行方向擺動周轉盒5～30S，后將周轉盒在清洗劑中靜置5～30S；

(4)后處理：將周轉盒從清洗槽中取出，順時針傾斜5～50°，先對鍺晶片的拋光表面用去離子水沖洗5～50S，再逆時針傾斜5～50°對鍺晶片的未拋光表面用去離子水沖洗5～50S，沖洗完成后裝入甩干機中甩干后流轉到清洗鈍化工序。

2.根據權利要求1所述的去除太陽能鍺單晶片拋光殘留藥劑的方法，其特征在于：所述周轉盒為5～15片裝。

3.根據權利要求1所述的去除太陽能鍺單晶片拋光殘留藥劑的方法，其特征在于：所述清洗槽中的清洗劑每清洗50片鍺單晶片放空更換一次。

4.根據權利要求1所述的去除太陽能鍺單晶片拋光殘留藥劑的方法，其特征在于：所述草酸清洗劑的濃度為0.1mol/L。

5.根據權利要求1所述的去除太陽能鍺單晶片拋光殘留藥劑的方法，其特征在于：步驟(4)中周轉盒的順時針傾斜角度為15～30°。

6.根據權利要求1所述的去除太陽能鍺單晶片拋光殘留藥劑的方法，其特征在于：步驟(4)中周轉盒的逆時針傾斜角度為15～30°。